Sematech與合作伙伴連手克服未來3D芯片技術(shù)挑戰(zhàn)

　　美國半導體科技研發(fā)聯(lián)盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)與美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC)，日前共同定義出了wide I/O DRAM 之后的未來3D芯片(3D IC)技術(shù)殺手級應用，以及將遭遇的挑戰(zhàn)。

　　Sematech 表示，上述單位的眾學者專家經(jīng)過討論之后，定義出異質(zhì)運算(heterogeneous computing)、內(nèi)存、影像(imaging)、智能型感測系統(tǒng)(smart sensor systems)、通訊交換器(communication switches)，以及電力輸送/調(diào)節(jié)(power delivery/conditioning)等幾項頗具潛力的未來殺手級應用技術(shù);而與這些應用相關(guān)的技術(shù)挑戰(zhàn)，則包括：降低3D芯片架構(gòu)成本、系統(tǒng)/架構(gòu)之先導(pathfinding)、通用的異質(zhì)多裸晶堆棧測試問題以及散熱管理。

　　「克服下一代應用的共同技術(shù)挑戰(zhàn)，是加速3D芯片技術(shù)推廣的關(guān)鍵;」Sematech總裁暨執(zhí)行長Dan Armbrust表示：「Sematech旗下的3DEC在相關(guān)合作研發(fā)計劃中的下一階段目標，是針對這些共同的技術(shù)挑戰(zhàn)，提供可用的基礎(chǔ)架構(gòu)。」

　　Sematech指出，在 wide I/O DRAM 問世之后，市場的高需求、以及各種證實3D整合優(yōu)勢的大量應用，將驅(qū)動產(chǎn)業(yè)界對3D芯片技術(shù)更進一步的研發(fā);那些優(yōu)勢包括了較低的功耗、較高的性能，功能性的增加以及較低成本。

　　自 2011年1月以來，Sematech的3DEC率先投入3D芯片標準與規(guī)格的開發(fā);為了迎接未來3D整合芯片與系統(tǒng)的時代，3DEC定義出3~5年內(nèi)可見的相關(guān)殺手級應用與共同技術(shù)挑戰(zhàn)，好為 wide I/O DRAM 之后的3D芯片技術(shù)鋪平道路。

　　「3D芯片技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)來到了一個轉(zhuǎn)折點;」SIA主席Brian Toohey表示，產(chǎn)業(yè)界已經(jīng)藉由許多工作體會到合作的好處，此一正在發(fā)展的伙伴關(guān)系，將把3D芯片整合技術(shù)推向下一個階段，讓業(yè)界充分了解相關(guān)技術(shù)為半導體制造與設(shè)計領(lǐng)域帶來的商機潛力。Sematech的3DEC在2010年12月成立以來，專注于為具成本效益的TSV制程3D芯片解決方案，推動建立橫跨整個產(chǎn)業(yè)的支持生態(tài)系統(tǒng)。