力旺加速布局65/55nm制程 攻高階CE市場(chǎng)

　　力旺電子(eMemory)日前宣布，其單次可程序(one time programmable, OTP)內(nèi)存技術(shù)已于一線晶圓代工廠65納米制程平臺(tái)通過(guò)可靠度驗(yàn)證，進(jìn)入量產(chǎn)階段;另外，多次可程序(multiple times programmable, MTP)內(nèi)存技術(shù)則同步于65納米制程平臺(tái)進(jìn)行驗(yàn)證中，將可應(yīng)用于對(duì)嵌入式儲(chǔ)存組件規(guī)格要求日益嚴(yán)苛之高階多媒體與數(shù)字消費(fèi)性電子產(chǎn)品，如智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)與數(shù)字電視機(jī)上盒等。

　　力旺表示，其單次可程序產(chǎn)品 NeoBit 與多次可程序的 NeoFlash, NeoEE 等，均正朝更先進(jìn)制程轉(zhuǎn)移。該公司的65納米 NeoBit OTP 日前已通過(guò)可靠度驗(yàn)證，即將進(jìn)入量產(chǎn)，而針對(duì)下一世代55納米與更先進(jìn)制程平臺(tái)，力旺電子亦全力積極布局，目前已與數(shù)家國(guó)際級(jí)晶圓代工廠合作開(kāi)發(fā)中，預(yù)計(jì)55納米高電壓制程之NeoBit將可于2012年Q2通過(guò)驗(yàn)證，進(jìn)入試產(chǎn)階段。

　　根據(jù)iSupply報(bào)告顯示，預(yù)估2010~2015年間，智能手機(jī)和多媒體平板計(jì)算機(jī)出貨量，將分別以28.5%和72.1%的年復(fù)合成長(zhǎng)率攀升，看好未來(lái)高階多媒體與數(shù)字消費(fèi)性電子發(fā)展?jié)摿Γν硎?，該公司每年持續(xù)投入超過(guò)30%之營(yíng)業(yè)費(fèi)用于研發(fā)創(chuàng)新技術(shù)，發(fā)展先進(jìn)嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財(cái)，先前80納米高壓制程之NeoBit OTP已進(jìn)入量產(chǎn)，并對(duì)權(quán)利金收益有所挹注。

　　力旺電子嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存之主要功能為儲(chǔ)存參數(shù)設(shè)定與身分識(shí)別密碼，以近期熱門之?dāng)?shù)字電視機(jī)上盒與NFC相關(guān)應(yīng)用為例，力旺電子之嵌入式EEPROM NeoEE即可作為協(xié)助儲(chǔ)存密碼、金額或身分識(shí)別數(shù)據(jù)使用，目前前項(xiàng)提及之相關(guān)產(chǎn)品以65納米與40納米制程為主力，而力旺電子相關(guān)技術(shù)亦同步開(kāi)發(fā)中。近期65納米之NeoEE進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試獲得98%以上之優(yōu)異良率，預(yù)期2012年起即可對(duì)營(yíng)收產(chǎn)生正面貢獻(xiàn)。

　　力旺電子的嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)包含單次可程序OTP NeoBit與多次可程序MTP NeoFlash、NeoEE等硅智財(cái)，由于架構(gòu)簡(jiǎn)單，與邏輯制程完全兼容，不論建構(gòu)于現(xiàn)有制程，或嵌入使用于客戶端之產(chǎn)品，均可在不修改制程的前提下，直接進(jìn)行設(shè)計(jì)。

　　目前力旺電子嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)已廣泛建置于0.5微米至0.11微米等各類型邏輯與衍生制程，加上近期于晶圓代工廠之先進(jìn)制程布局，將可提供尖端設(shè)計(jì)客戶具備完善質(zhì)量與高可靠度之全方位嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案。目前力旺電子擁有超過(guò)250件專利，全球Fabless客戶數(shù)已突破310家，累計(jì)至2011年12月，內(nèi)嵌力旺電子硅智財(cái)之量產(chǎn)八吋晶圓片數(shù)已超過(guò)340萬(wàn)片。