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          Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作
          
						
          —— 該器件的結點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散
          
						
          
				作者：
				時間：2012-01-03
				來源：中電網
				
				
				
				
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          　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130ºC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280ºC/W的SOT723封裝，能實現(xiàn)更低溫度運行。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/127720.htm

          　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET可簡易替換高可靠性的信號以及負載開關應用，用于包括數(shù)碼相機、平板電腦和智能手機在內的高便攜式消費電子產品。
          

          　　Diodes公司首次推出的這對MOSFET，額定電壓為20V，包含DMN2300UFD N通道以及DMP21D0UFD P通道組件。在VGS為1.8V的情況下，該N通道MOSFET的典型導通電阻為400mΩ，比最受歡迎的同類型SOT723封裝MOSFET大約低50%，有助于大幅減少傳導損耗和功率耗散。
          

          　　Diodes之后還會推出采用DFN1212-3封裝、額定電壓為30V與60V的組件和一系列雙極型器件。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            Diodes
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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