瑞薩發(fā)布首款嵌入式閃存技術

　　全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”)宣布開發(fā)出業(yè)界首款適用于汽車實時應用領域的40nm工藝嵌入式閃存技術。瑞薩電子也將是首先使用上述40nm工藝閃存技術，針對汽車應用領域推出40nm嵌入式閃存微控制器(MCU)的廠商，采用該技術的首款產(chǎn)品預計將于2012年秋季開始供應。

　　瑞薩電子在開發(fā)具有高質(zhì)量及高可靠性的閃存MONOS(金屬氮氧硅)技術方面，擁有豐富的經(jīng)驗且廣受好評。在2007年，瑞薩電子便成為第一家推出90nm汽車用閃存MCU產(chǎn)品的廠商。

　　瑞薩電子閃存MONOS技術為可擴充的技術，不僅可靠性高且具備高效能。40nm閃存測試組件的評估結果，已證明其在三個重要的參數(shù)(數(shù)據(jù)保存、程序/擦寫周期耐受性及程序設計時間)方面，均能成功做到優(yōu)異的特性表現(xiàn)。40nm制程節(jié)點可整合多種與安全相關的功能性與通訊接口。

　　瑞薩電子40nm閃存IP保證數(shù)據(jù)可保存20年，并可在最高170℃結合溫度下進行讀取。此外，程序代碼閃存支持120 MHz讀取速度，而數(shù)據(jù)閃存即使在125,000次程序/擦寫周期后，仍可達到業(yè)界領先的20年超長數(shù)據(jù)保存時間。