研究顯示智能手機(jī)性能瓶頸在于閃存而非網(wǎng)絡(luò)

　　佐治亞理工學(xué)院和 NEC 合作的一項(xiàng)研究顯示，盡管大部分專家和普通用戶都認(rèn)為CPU和糟糕的無(wú)線網(wǎng)絡(luò)是智能手機(jī)性能問(wèn)題的主要原因， 但事實(shí)上對(duì)于大部分現(xiàn)代智能手機(jī), 存儲(chǔ)設(shè)備速度的落后才是手機(jī)性能低下的罪魁禍?zhǔn)?，糟糕?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/閃存">閃存而非CPU 速度或網(wǎng)絡(luò)連接導(dǎo)致了瀏覽網(wǎng)頁(yè)和閱讀文檔時(shí)的手機(jī)卡頓。

　　在對(duì)數(shù)款銷量最好的 16GB 存儲(chǔ)卡的測(cè)試中，研究人員使用了最常見的幾種安卓手機(jī), 結(jié)果發(fā)現(xiàn)在大部分手機(jī)上 NAND 閃存會(huì)導(dǎo)致移動(dòng)應(yīng)用的性能下降兩到三倍，唯一例外是金士頓的嵌入式存儲(chǔ)卡 - 它導(dǎo)致的性能下降最高達(dá)到 20 倍。

　　研究者指出，在當(dāng)今的智能手機(jī)市場(chǎng)上不論是不斷更新的高端單核甚至雙核 CPU， 還是運(yùn)營(yíng)商的無(wú)線網(wǎng)絡(luò)擁有的容量都跟上了用戶需求的前進(jìn)速度，但只有閃存的帶寬長(zhǎng)時(shí)間一直停留在一個(gè)水平上，沒有隨著時(shí)間有任何明顯進(jìn)步。閃存性能不佳不僅會(huì)導(dǎo)致性能問(wèn)題 - 在等待的過(guò)程中手機(jī)也會(huì)多消耗電池電量, 影響整體續(xù)航時(shí)間。

　　但糟糕的性能也不僅是存儲(chǔ)器廠商的問(wèn)題: 研究也發(fā)現(xiàn)性能的問(wèn)題的根源是許多應(yīng)用程序需要進(jìn)行大量隨機(jī)輸入輸出操作, 而對(duì)于 NAND 閃存來(lái)說(shuō)隨機(jī)讀寫的性能會(huì)比順序讀寫低數(shù)倍之多. 因此除了選擇高性能的閃存外, 改變程序使用閃存的方式也會(huì)對(duì)提高性能有很大幫助.

　　除此之外, 對(duì)于必須進(jìn)行隨機(jī)寫入的程序, 研究人員提出可以使用一塊小容量的相變內(nèi)存存儲(chǔ)對(duì)性能至關(guān)重要的程序和數(shù)據(jù). 這塊緩存可以提供給需要大量隨機(jī)讀寫的數(shù)據(jù)庫(kù)軟件如 SQLite 使用. 研究者也分析了 SQLite 的文件系統(tǒng)讀寫代碼, 并發(fā)現(xiàn)做出一些改進(jìn)便可以有效提高 SQLite 在閃存上的性能.