瑞薩電子宣布推出低功耗P通道MOSFET

　　全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”)今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)系列產(chǎn)品，包括用于筆記本電腦中鋰離子(Li-ion)二級(jí)電池的充電控制開關(guān)和與AC適配器進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)等用途進(jìn)行最佳化的µPA2812T1L。

　　瑞薩電子的低損耗功率 MOSFET, µPA2812T1L

　　近年來，市場(chǎng)對(duì)于筆記本電池在整體系統(tǒng)的低功耗、在采用電池電源時(shí)更長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間以及更小、更輕薄的外形因數(shù)等方面的需求日益提高。功率MOSFET用于鋰離子二級(jí)電池中的控制開關(guān)，以及AC適配器電源轉(zhuǎn)換的電源管理開關(guān)，它們必須能夠承載操作整個(gè)系統(tǒng)所需要的大電流，因此需要降低工作電阻的需求(導(dǎo)通電阻)，從而降低系統(tǒng)的整體功耗。同時(shí)，由于筆記本電腦的機(jī)身變得日益輕薄緊湊，因此對(duì)于更小型、更輕薄鋰離子電池包的需求日益增強(qiáng)。

　　為了滿足上述需求，瑞薩電子開發(fā)了一種新的制造工藝，相對(duì)于其它創(chuàng)新而言，它采用了極其細(xì)微的工藝技術(shù)，在面對(duì)相似的應(yīng)用時(shí)，在相同的有效范圍內(nèi)，與之前制造MOSFET的工藝技術(shù)相比，將導(dǎo)通電阻降低一半。此次包括µPA2812T1L在內(nèi)的五款新產(chǎn)品，都在很小的封裝內(nèi)，提供了低導(dǎo)通電阻。

　　新款P通道功率MOSFET的主要特性：

　　(1) 業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻，實(shí)現(xiàn)了更好的系統(tǒng)功率效率并增加了電池的工作次數(shù)

　　新款MOSFET的導(dǎo)通電阻值大約為瑞薩電子原有產(chǎn)品的一半。µPA2812T1L采用緊湊型3.3mm正方形封裝，并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低的4.2 m?(典型值)的導(dǎo)通電阻，并可保持低功耗，提升系統(tǒng)整體的電源效率，使用鋰離子二次電池時(shí)可延長(zhǎng)使用時(shí)間。

　　較低的導(dǎo)通電阻的還包括其他優(yōu)點(diǎn)，例如以采用新款μPA2812T1L的電路取代采用瑞薩電子原有的μPA2810T1L平行連接的電路，可降低整個(gè)系統(tǒng)的安裝面積。

　　(2)安裝面積約為具有同等性能的原有產(chǎn)品的三分之二，從而尺寸更加緊湊的系統(tǒng)。

　　較早期的瑞薩電子產(chǎn)品以SOP-8的封裝提供與新款µPA2812T1L相同的低導(dǎo)通電阻，但面積約為新款產(chǎn)品的三倍大。采用µPA2812T1L可以縮減大約三分之二的安裝面積，為筆記本電腦提供尺寸更小的電源供應(yīng)系統(tǒng)。

　　(3)涵蓋大范圍運(yùn)作電流等級(jí)的完整洗了產(chǎn)品

　　在五款新產(chǎn)品中，µPA2812T1L的額定導(dǎo)通電阻范圍從4.2 m?至12 m?(典型)，客戶可以選擇最符合其運(yùn)作電流、環(huán)境條件等要求的產(chǎn)品版本。

　　小尺寸3.3mm正方形封裝(HVSON(3333))提供了極好的散熱效果，其設(shè)計(jì)可讓封裝內(nèi)的熱量通過外露的引線框散發(fā)到所安裝的電路板上。由于器件周圍的熱量少于采用SOP-8等低效散熱封裝的熱量，因此能夠設(shè)計(jì)尺寸較輕巧的鋰電池。

　　瑞薩電子計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET器件的陣列，提供更強(qiáng)大的功能和尺寸更緊湊的封裝。結(jié)合功率MOSFET器件和鋰離子電池充電器控制IC等套件，將為系統(tǒng)設(shè)計(jì)者提供更廣泛的、靈活的系統(tǒng)解決方案。

　　P通道功率MOSFET的產(chǎn)品規(guī)格