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          IR推出一系列采用TSOP-6封裝系列產(chǎn)品
          
						
          —— 為低功率應(yīng)用提供靈活、高性價(jià)比的解決方案
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2012-04-25
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/131762.htm

          　　全新的功率MOSFET具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，能夠大幅降低傳導(dǎo)損耗。新產(chǎn)品可以作為N及P通道配置里的20V或30V器件，最大柵極驅(qū)動(dòng)從12Vgs到20Vgs不等?！　?/p>

          

           
          

          　　IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“采用TSOP-6封裝的IR全新功率MOSFET系列，與采用SOT-23和SO-8封裝的現(xiàn)有器件相輔相成，為客戶設(shè)計(jì)系統(tǒng)提供了更大的靈活性。這個(gè)平臺(tái)擁有極低的導(dǎo)通電阻，因而這些新器件能夠取代封裝尺寸較大的MOSFET，有助于減少電路板面積和系統(tǒng)成本。”
          

          　　所有新器件均達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)，不含鉛、溴化物和鹵素。
          

          　　產(chǎn)品規(guī)格
          

           
          

          　　新器件正接受批量訂單。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            IR
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
          評(píng)論
          					
		
          
		
          
			
          
			
				
          
					
					
          
						
                        
					
          
				
          
                		
						
						
			
          
		
          
		
          
		
          
            
			
            
		
          
	
          
	
          
	
          
		

          
	
          
		
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