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          Vishay榮獲2012中國年度電子成就獎

          作者: 時間:2012-04-27 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            日前, Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR 功率榮獲功率器件/電壓類別的2012中國年度電子成就獎。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/131857.htm

            中國電子成就獎的功率器件/電壓產(chǎn)品年度獎項授予在設計和技術上有突出優(yōu)點,為工程師提供了新的強大功能,能夠大大節(jié)省時間、成本、占用空間等資源的產(chǎn)品。此外,該獎項頒發(fā)給將會在中國大陸地區(qū)產(chǎn)生重要影響的產(chǎn)品。

            SiZ710DT是首款在6mm x 3.7mm的PowerPAIR封裝中采用TrenchFET Gen III技術的非對稱雙邊TrenchFET 功率,可用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器和游戲機中的系統(tǒng)電源、POL、低電流DC/DC和同步降壓應用。器件的導通電阻比前一代低43%,同時具有更高的最大電流并能提高效率。

            SiZ710DT具有此類器件中最低的導通電阻,在小尺寸外形內(nèi)集成了低邊和高邊MOSFET,比DC/DC中由兩個分立器件組成的解決方案能節(jié)省很多空間。低邊的溝道2 MOSFET使用了針對非對稱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化空間布局,在10V和4.5V下的導通電阻為3.3m?和4.3m?,高邊溝道1 MOSFET在10V和4.5V下的導通電阻為6.8m?和9.0m?。

            的中國及香港區(qū)高級銷售總監(jiān)Eric Lo代表領取了該獎項。



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