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          飛兆開發(fā)出P溝道PowerTrench WL-CSP MOSFET
          
						
          —— 實現(xiàn)出色的熱轉移特性
          
						
          
				作者：
				時間：2012-05-17
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　便攜設備的設計人員面臨著在終端應用中節(jié)省空間、提高效率和應對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應這一趨勢，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench®薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/132514.htm

          　　這些器件采用最新的“微間距”薄型WL-CSP封裝工藝，最大限度地減小線路板空間和RDS(ON)，并在微小外形尺寸封裝中實現(xiàn)出色的散熱特性。　　
          

          

           
          

          　　特性和優(yōu)勢
          

          　　· 非常小的(0.8 x 0.8mm2)封裝僅占0.64mm2的印刷線路板面積，比2mm x 2mm CSP封裝的占位面積減小16%
          
　　· 安裝于印刷線路板時，達到低于0.4mm的超低側高
          
　　· VGS低至-1.5V，低的RDS(ON) 值
          
　　· 出色的散熱特性(1平方英寸 2盎司銅焊盤上，93度C/W的RΘJA)
          
　　· 滿足RoHS要求
          
　　· 適用于便攜應用的電池管理和負載開關功能
          

          　　作為便攜技術的領先企業(yè)，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 提供廣泛的模擬和功率知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品組合，可進行定制以滿足手機制造商的特定需求。飛兆半導體通過注重實現(xiàn)用戶滿意度和市場成功的特定模擬和功率功能，例如音頻、視頻、USB、ASSP/邏輯、RF電源、內核電源和照明等，能夠提供改善功能性同時節(jié)省空間和功率的解決方案。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            飛兆
                        MOSFET
                        P溝道
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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          技術專區(qū)
          
      
          
      
          
			
      
           
       

          

   










          
	
          
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