安森美電路保護及濾波技術透視暨智能手機典型應用示例
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靜電放電(ESD)保護及電磁干擾(EMI)正在成為所有電氣設備越來越重要的考慮因素。消費者要求智能手機等便攜/無線設備具有更多功能特性及采用纖薄型工業(yè)設計，這就要求設計人員要求更加注重小外形封裝之中的ESD及EMI性能。本文將分析電路保護要求，比較不同的電路保護技術及濾波技術，介紹安森美半導體應用于典型電路保護及濾波應用的產品，幫助設計工程師設計出更可靠的便攜及消費類產品。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/133535.htm關鍵芯片組外部ESD保護要求
業(yè)界正在采用最先進的技術制造先進的系統(tǒng)級芯片(SoC)。設計人員為了優(yōu)化功能及芯片尺寸，正在持續(xù)不斷地減小其芯片設計的最小特征尺寸。但相應的代價是：隨著特征尺寸減小，器件更易于遭受ESD損傷。當今的集成電路(IC)給保護功能所留下的設計窗口已經減小。ESD保護必須在安全過壓及過流區(qū)工作。隨著業(yè)界趨向以更小幾何尺寸和更低電壓制造更先進IC，IC的安全工作區(qū)也在縮小。
有效ESD保護的關鍵是限制ESD事件期間的電壓，令其處于給定芯片組的安全電壓窗口內。ESD保護產品實現(xiàn)有效ESD保護的方式，是在ESD事件期間提供接地的低阻抗電流路徑;用于新集成電路的保護產品需要更低的動態(tài)阻抗(Rdyn)，從而避免可能導致?lián)p傷的電壓。
由于給保護功能所留的設計窗口減小，選擇具有低動態(tài)阻抗的ESD保護產品變得更加重要，以此確保鉗位電壓不超過新芯片組的安全保護窗口。因此，ESD保護產品供應商必須提供保護產品有效性的信息，而非僅是保護產品自身的存續(xù)等級。
硅ESD保護技術與無源ESD保護技術比較
安森美半導體的保護及濾波方案基于先進的硅工藝。相比較而言，其它幾種低成本無源方案結合使用了陶瓷、鐵氧體及多層壓敏電阻(MLV)材料。這些類型器件傳統(tǒng)上ESD鉗位性能較弱。在某些無源方案中，下游器件會遭受的電壓比安森美半導體硅方案高出一個或多個數(shù)量級，下圖中的ESD屏幕截圖所示，其中比較了安森美半導體硅方案與競爭技術在8 kV ESD應力條件下的表現(xiàn)。競爭技術的導通電壓如此之高，以致于它根本不會激活，所測的電壓只不過是在50 Ω測量電路上的電壓降。其它一些更老技術甚至在經歷較少幾次ESD沖擊后性能就會下降。由于材料成分原因，某些無源器件往往在不同溫度條件下的性能表現(xiàn)不一致，因此在惡劣環(huán)境下的可靠性更低。
消除信號完整性問題的PicoGuard® XS ESD保護技術
傳統(tǒng)ESD保護產品貼裝在信號走線與地之間，在信號路徑上不會產生中斷。為了將高速數(shù)據(jù)線路的信號完整性下降問題減至最輕，電容必須最小化，如圖2所示?！ ?/p>
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