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          三菱電機(jī)汽車用J系列EV-IPM和EV T-PM深受歡迎

          —— 高性能、超可靠、低損耗
          作者: 時(shí)間:2012-06-29 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            開發(fā)給汽車使用的J系列EV-IPM和EV T-PM,在6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012中亮相,吸引眾多參觀者的目光,紛紛了解這個(gè)高性能、超可靠、低損耗的汽車用功率

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/134096.htm

            受到近幾年環(huán)保意識(shí)提高的影響,混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車等市場不斷擴(kuò)大。由于對(duì)汽車有著很高的安全性要求,因而對(duì)用于的功率,也要求其具有超出普通工業(yè)用途的可靠性。

            引領(lǐng)業(yè)界之先,于2004年采用以硬質(zhì)樹脂封裝功率半導(dǎo)體硅片的壓注模封裝技術(shù),生產(chǎn)出可靠性高且無鉛化的汽車用功率。 這次,又推出新的汽車用功率半導(dǎo)體模塊J系列EV-IPM和J系列EV T-PM。

            J系列EV-IPM采用第5代LPT- CSTBTTM硅片技術(shù),模塊內(nèi)硅片上集成電流和溫度傳感器,雜散電感低。模塊采用自1997年以來已成功量產(chǎn)的先進(jìn)制造工藝,實(shí)施從模塊材料到零件與生產(chǎn)履歷的硅片級(jí)可追溯性管理,滿足ELV車輛報(bào)廢指令。目前開發(fā)的J系列EV-IPM產(chǎn)品的電流電壓等級(jí)分別有:300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。

            

           

            J系列EV T-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBTTM硅片技術(shù),模塊內(nèi)硅片上集成電流和溫度傳感器。模塊內(nèi)部構(gòu)造不同于以往用鋁電線連接功率半導(dǎo)體硅片和主端子,而是采用DLB構(gòu)造,成功將主端子延長,使之直接與功率半導(dǎo)體硅片焊接。利用DLB構(gòu)造提高了模塊的可靠性。

            此外,模塊采用2合1壓注膜封裝技術(shù),使得模塊內(nèi)的配線電阻和電感得到減小,從而降低了模塊的損耗。模塊實(shí)施從模塊材料到零件與生產(chǎn)履歷的硅片級(jí)可追溯性管理。滿足ELV車輛報(bào)廢指令,確保用于汽車的質(zhì)量與產(chǎn)品壽命。目前開發(fā)的J系列EV T-PM產(chǎn)品的電流電壓等級(jí)分別有:300A/600V,600A/600V和300A/1200V。

            



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