飛思卡爾技術(shù)論壇中國(guó)站展現(xiàn)傳統(tǒng)觀念與現(xiàn)代技術(shù)相融合

　　概述

　　基于ARM Cortex-M0+的Kinetis L系列MCU，將于2012年8月14-15日在飛思卡爾技術(shù)論壇中國(guó)站上首次展示。作為市場(chǎng)上首款基于新型ARM Cortex-M0+內(nèi)核的MCU系列，同時(shí)也是業(yè)界能效最高的MCU，Kinetis L系列反映出當(dāng)今技術(shù)趨勢(shì)的一個(gè)縮影：人們欣喜地看到了傳統(tǒng)觀念與現(xiàn)代技術(shù)的融合。 傳統(tǒng)入門級(jí) 8位 MCU 的低功耗、低成本和易用性，與先進(jìn)的32位MCU 的高能效、功能集成及更多軟件工具支持相結(jié)合。采用Kinetis L系列的諸多應(yīng)用，如小家電、游戲配件、便攜式醫(yī)療系統(tǒng)、音頻系統(tǒng)和電源控制系統(tǒng)等，現(xiàn)在能夠?qū)崿F(xiàn)更高的性能，提供更多的功能，同時(shí)不用增加功耗或系統(tǒng)成本。

　　ARM Cortex-M0+內(nèi)核

　　ARM Cortex-M0+是能效最高的內(nèi)核，與ARM Cortex-M0內(nèi)核相比，具有更好的能效、性能和調(diào)試功能，同時(shí)保證了所有指令集和工具的完全兼容。該產(chǎn)品的新功能包括：2級(jí)管道，該管道可減少每指令周期數(shù) (CPI) ，在基準(zhǔn)測(cè)試中取得1.77 CoreMark/MHz的高分(而Cortex-M0內(nèi)核僅為1.62CoreMark/MHz)，對(duì)I/O進(jìn)行單周期訪問，加快對(duì)外部事件的反應(yīng)速度，從而實(shí)現(xiàn)位拆裂和軟件協(xié)議仿真，與8位和16位MCU相比，代碼密度更高，可縮小閃存尺寸，降低系統(tǒng)成本，另有Micro Trace Buffer這款輕量級(jí)跟蹤解決方案提供快速漏洞識(shí)別與更正。　　

 

　　高能效

　　Kinetis L系列基于飛思卡爾屢獲殊榮的90納米薄膜存儲(chǔ)器 (TFS) 技術(shù)，它通過創(chuàng)新的低功耗 MCU平臺(tái)、操作模式和節(jié)能外設(shè)實(shí)現(xiàn)出色的能效，對(duì)Cortex-M0+內(nèi)核進(jìn)一步予以完善。這些功能相互結(jié)合，提供良好的運(yùn)行和休眠電流，使應(yīng)用能夠延長(zhǎng)處于深度休眠模式的時(shí)間，從而最大限度減少CPU活動(dòng)并延長(zhǎng)電池壽命。

　　現(xiàn)有10種低功率操作模式可供選擇，使得設(shè)計(jì)人員能夠極精確地控制系統(tǒng)功耗。其中包括多個(gè)低功耗模式(50uA/MHz 的低功耗運(yùn)行模式)，它們最多可將功耗降低95%，并同時(shí)繼續(xù)保留Cortex-M0+ 的全部處理功能。這些模式還可使MCU能夠從省電狀態(tài)快速喚醒，待處理完數(shù)據(jù)后迅速返回休眠模式，從而延長(zhǎng)應(yīng)用程序的電池壽命。這些優(yōu)勢(shì)都將在飛思卡爾技術(shù)論壇上通過Kinetis L系列 能效模塊一一進(jìn)行演示。在飛思卡爾技術(shù)論壇中國(guó)站的展示中，還會(huì)按照CoreMark 基準(zhǔn)測(cè)試分析將Kinetis L系列的能效的特點(diǎn)與飛思卡爾競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的解決方案進(jìn)行對(duì)比。

　　Kinetis L系列MCU提供多個(gè)低功耗智能外設(shè)，即使在MCU處于深度休眠模式時(shí)也能維護(hù)正常功能，因此可實(shí)現(xiàn)少消耗多工作。DMA控制器、計(jì)數(shù)器、定時(shí)器、通信接口、ADC、比較器都能夠在不占用CPU 的情況下做出自己的決策。傳統(tǒng)的MCU必須激活主時(shí)鐘和處理器內(nèi)核才能執(zhí)行任務(wù)，即使是執(zhí)行瑣碎的任務(wù)，如發(fā)送或接收數(shù)據(jù)、捕捉或生成波形或模擬信號(hào)采樣時(shí)也是如此。Kinetis L系列外設(shè)不需占用內(nèi)核或主要系統(tǒng)就能執(zhí)行這些功能，從而大大降低能耗并延長(zhǎng)電池壽命。