英特爾加緊開發(fā)新芯片技術(shù) 縮小晶體管體積
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英特爾技術(shù)研發(fā)人員稱,憑借三門絕緣、高介電值雙電子(high-k gate dielectrics)、金屬電極及應(yīng)變硅(strained silicon)等新技術(shù),公司在進一步壓縮晶體管體積的同時,還可進一步提高處理性能并防止電流泄漏。英特爾部件研發(fā)和技術(shù)部門主管兼制造部門副總裁邁克
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