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          英特爾加緊開發(fā)新芯片技術(shù) 縮小晶體管體積

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          作者: 時間:2006-06-16 來源:21IC中國電子網(wǎng) 收藏
          新浪科技訊 北京時間6月13日消息,據(jù)國外媒體報道,英特爾技術(shù)研發(fā)團隊表示,通過三門(tri-gate)晶體管及其他系列新技術(shù),將有助于進一步壓縮晶體管體積,進而開發(fā)出下一代高處理能力芯片。

            英特爾技術(shù)研發(fā)人員稱,憑借三門絕緣、高介電值雙電子(high-k gate dielectrics)、金屬電極及應(yīng)變硅(strained silicon)等新技術(shù),公司在進一步壓縮晶體管體積的同時,還可進一步提高處理性能并防止電流泄漏。英特爾部件研發(fā)和技術(shù)部門主管兼制造部門副總裁邁克


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