中微公司發(fā)布新一代等離子刻蝕設(shè)備

　　近日，中微半導(dǎo)體發(fā)布了兩款新一代刻蝕設(shè)備。

　　新設(shè)備中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“單反應(yīng)器甚高頻去耦合反應(yīng)離子介質(zhì)刻蝕機”)，可應(yīng)用于最先進的存儲芯片和邏輯芯片的加工生產(chǎn)，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕(在單反應(yīng)器中實現(xiàn)多步操作)。Primo SSC AD-RIE擁有獨特的創(chuàng)新設(shè)計，能夠在工藝控制方面實現(xiàn)前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產(chǎn)商在確保芯片加工質(zhì)量的同時達到更高的產(chǎn)出效率。

　　另一款，12英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV300E?，拓展了原有的8英寸硅刻蝕產(chǎn)品Primo TSV200E?的能力，可用于多種硅深孔及深槽刻蝕。公司的8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E?獲得業(yè)界認(rèn)可，已被亞洲眾多客戶用于先進系統(tǒng)封裝、2.5維封裝和微機電系統(tǒng)芯片的生產(chǎn)。中微第一臺Primo TSV300E?設(shè)備已在國內(nèi)領(lǐng)先的晶圓封裝廠運轉(zhuǎn)。

　　這兩種設(shè)備強化了中微公司產(chǎn)品布局，為全球芯片生產(chǎn)商應(yīng)對半導(dǎo)體工藝的挑戰(zhàn)提供了更多、更新、更好的解決方案。