Microsemi提供S波段 RF功率晶體管
—— 適用于空中交通管制雷達航空應用現(xiàn)提供新型500W GaN on SiC晶體管產(chǎn)品
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致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 擴大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通管制機場監(jiān)視雷達(ASR)應用，ASR用于監(jiān)視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/139569.htm在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500晶體管具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏極效率性能，通過單一器件在這個頻段上提供最大功率，主要特性包括：
標準脈沖間歇格式： 100µs, 10 % DF
出色的輸出功率： 500W
高功率增益： >11.5 dB min
漏極偏壓−Vdd： +65V
低熱阻： 0.2℃/W
使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢包括：
具有簡化阻抗匹配的單端設(shè)計，替代需要額外合成的較低功率器件
最高峰值功率和功率增益，可減少系統(tǒng)功率級數(shù)與末級合成
單級對管提供具有余量的1.0 kW峰值輸出功率，通過四路組合提供全系統(tǒng)2kW峰值輸出功率
65V的高工作電壓減小電源尺寸和DC電流需求
極其穩(wěn)健的性能提升了系統(tǒng)良率，而且
放大器尺寸比使用硅雙極結(jié)晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件的產(chǎn)品減小50%
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