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          SuVolta發(fā)布DDC技術(shù)的電路級性能與功耗優(yōu)勢

          —— 基于DDC的首個產(chǎn)品預計于2013上半年推出
          作者: 時間:2012-12-11 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            致力于開發(fā)低功耗CMOS技術(shù)的公司日前發(fā)布了一項旨在展示其(深度耗盡通道,Deeply Depleted Channel™)技術(shù)在性能和功耗方面優(yōu)勢的測試結(jié)果。該結(jié)果來自于采用PowerShrink™低功耗CMOS平臺設(shè)計、并由有限公司的65納米低功耗工藝制造的模擬及數(shù)字電路。在12月10日舊金山開幕的IEDM會議上發(fā)表的文章中將公布這項成果。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/139955.htm

            有限公司的高級執(zhí)行副總裁HaruyoshiYagi博士指出:“IEDM文章的結(jié)果證實,富士通半導體基于的工藝提供了65納米或55納米工藝所能達到的性能與功耗的最佳組合。技術(shù)與富士通半導體低功耗工藝的集成實現(xiàn)我們的全部預期?;贒DC的技術(shù)將于2013上半年在55納米工藝實現(xiàn)商品化。”

            兩家公司對分別采用富士通半導體的標準工藝和DDC技術(shù)制造的相同電路進行了比較。除了其他優(yōu)勢,DDC技術(shù)將1.2V工作電壓、相同功耗下的數(shù)字電路性能提高了大約30%。如果將工作電壓降到0.9V,同等性能下DDC技術(shù)則可將功耗降低47%。DDC在功耗和性能上的提高得益于全域以及局部閾值電壓波動減小、基體效應提高以及有效電流(IEFF)提高等器件參數(shù)方面的優(yōu)勢。

            富士通半導體是SuVolta DDC技術(shù)的首家授權(quán)用戶。自從2011年6月宣布合作以來,兩家公司在65納米和55納米節(jié)點上共同開發(fā)DDC技術(shù),并于2011年的IEDM會議上介紹了通過DDC技術(shù)與富士通半導體的低功耗工藝集成而實現(xiàn)的SRAM模塊在0.425V低工作電壓下的低功耗運行。在今年的IEDM會議上,SuVolta展示的電路結(jié)果顯示,DDC技術(shù)可帶來更高速或更低功耗的運行(取決于設(shè)計需求)。具體優(yōu)勢包括:

          • 相同工作頻率下環(huán)型振蕩器的動態(tài)功耗降低近50%,相同功耗下性能則可以提高約30%
          • 全域閾值電壓(VT)波動減小一個標準偏差
          • 低電源電壓(VDD)下有效電流(IEFF)最高可增大80%
          • 適當偏壓可緊縮邊角設(shè)計
          • 跨導運算放大器(OTA)電路增益即便在低工作電壓下也有12dB的提升
          • 全域以及局部鏡像電源匹配都得到了提高

            SuVolta公司總裁兼首席執(zhí)行官Bruce McWilliams博士表示:“采用基于DDC技術(shù)的富士通半導體55納米工藝制造的產(chǎn)品將很快面世,我們對此感到非常高興。通過顯著提升性能和高達50%的功耗降低,SuVolta公司正為業(yè)界提供一項靈活而低成本的器件技術(shù)選擇,從而延續(xù)CMOS技術(shù)的優(yōu)勢。”

            2012年國際電子器件會議(IEDM)將于12月10日至12日在加利福尼亞州舊金山市的聯(lián)合廣場希爾頓酒店召開。SuVolta與富士通半導體合作的“一種增強數(shù)字與模擬電路功耗/性能的高集成65nm系統(tǒng)級芯片工藝(A Highly Integrated 65nm SoC Process with Enhanced Power/Performance of Digital and Analog Circuits)”一文將于12月11日(星期二)在會期14.4時段進行演講。



          關(guān)鍵詞: SuVolta 富士通 半導體 DDC

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