三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片

　　亮點(diǎn)：

　　該里程碑有助于加速對(duì)FinFET技術(shù)的采用，以實(shí)現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)

　　該合作為3D器件建模和物理設(shè)計(jì)規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ)

　　測試芯片驗(yàn)證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲(chǔ)器的成功采用

　　為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統(tǒng)的平面工藝在功耗與性能上明顯出超，但從二維晶體管到三維晶體管的轉(zhuǎn)變帶來了幾種新的IP及EDA工具挑戰(zhàn)，如建模就是其中的一大挑戰(zhàn)。兩公司多年的合作為FinFET器件的3D寄生參數(shù)提取、電路仿真和物理設(shè)計(jì)規(guī)則支持提供了基礎(chǔ)性的建模技術(shù)。而Synopsys的綜合解決方案，涵蓋嵌入式存儲(chǔ)器、物理設(shè)計(jì)、寄生參數(shù)提取、時(shí)序分析及簽核(signoff)，全部構(gòu)建于雙方合作成果的基礎(chǔ)之上。

　　“FinFET晶體管可以實(shí)現(xiàn)更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時(shí)帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，”三星電子器件解決方案部負(fù)責(zé)系統(tǒng)LSI底層架構(gòu)設(shè)計(jì)中心的副總裁Kyu-Myung Choi博士說道。“我們之所以選擇Synopsys作為我們的FinFET技術(shù)合作伙伴來解決這些挑戰(zhàn)，是因?yàn)槲覀冊?0納米和其它節(jié)點(diǎn)上的成功合作記錄。我們將繼續(xù)匯聚我們的專有技術(shù)來提供創(chuàng)新的FinFET解決方案。”

　　Synopsys的具備FinFET能力的IP

　　Synopsys與三星通過緊密合作開發(fā)了一款測試芯片，它可以用來驗(yàn)證三星先進(jìn)的14納米FinFET工藝以及Synopsys的DesignWare嵌入式存儲(chǔ)器，后者采用了Synopsys 的STAR(自測試和自修復(fù))存儲(chǔ)系統(tǒng)解決方案。該測試芯片實(shí)現(xiàn)了仿真模型與FinFET工藝的相互關(guān)聯(lián)，同時(shí)包含了測試結(jié)構(gòu)、標(biāo)準(zhǔn)單元、一個(gè)鎖相環(huán)(PLL)以及多個(gè)嵌入式SRAM。存儲(chǔ)器實(shí)體包括專為在非常低的電壓下運(yùn)行而設(shè)計(jì)的高密度SRAM和可驗(yàn)證工藝性能的高速SRAM。

　　Synopsys面向FinFET工藝的設(shè)計(jì)工具

　　從平面到基于FinFET的3D晶體管的轉(zhuǎn)變是一項(xiàng)重大改變，它需要工具開發(fā)商、晶圓代工廠和早期采用者之間緊密的技術(shù)協(xié)作，以提供一種強(qiáng)大的解決方案。Synopsys的高精確度建模技術(shù)為具備FinFET的Galaxy™ Implementation Platform實(shí)現(xiàn)平臺(tái)奠定了基礎(chǔ)。該平臺(tái)包括IC Compiler™物理設(shè)計(jì)、IC Validator物理驗(yàn)證、StarRC™寄生參數(shù)提取、SiliconSmart特征描述、用于FastSPICE仿真的CustomSim™和FineSim以及HSPICE®器件建模和電路仿真。

　　“三星電子一直是我們共同投入和投資的一個(gè)核心伙伴，共同致力于為FinFET技術(shù)開發(fā)完整的解決方案，” Synopsys高級(jí)副總裁兼設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)部總經(jīng)理Antun Domic說道。“Synopsys與三星的廣泛合作使我們能夠提供業(yè)內(nèi)頂級(jí)的技術(shù)和IP，以幫助設(shè)計(jì)師們實(shí)現(xiàn)FinFET晶體管設(shè)計(jì)的全部潛在優(yōu)勢。”