HID燈鎮(zhèn)流器中UniFET II MOSFET的性能和效率
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摘要： 先進(jìn)的單元結(jié)構(gòu)和壽命控制技術(shù)已同時(shí)增強(qiáng)了功率MOSFET的導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)性能。 本文介紹一種新開(kāi)發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性，另外還介紹了其性能和效率。 根據(jù)壽命控制的集中程度，UniFET II MOSFET可分為普通FET、FRFET和Ultra FRFET MOSFET，其反向恢復(fù)時(shí)間分別為傳統(tǒng)MOSFET的70%、25%和15%左右。為了驗(yàn)證全新MOSFET的性能和效率，用帶混頻逆變器的150 W HID燈鎮(zhèn)流器進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。結(jié)果證明，兩個(gè)UniFET II MOSFET可取代兩個(gè)傳統(tǒng)MOSFE和四個(gè)附加FRD，并且無(wú)MOSFET故障。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/142700.htm引言
盡管反向恢復(fù)特性差，但在許多開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的體二極管作為一種續(xù)流二極管得到廣泛使用。 然而，許多應(yīng)用最近都報(bào)告了功率MOSFET故障 [1-4]。 高電壓功率MOSFET一般分為超級(jí)結(jié)(SJ) MOSFET和平面MOSFET。 超級(jí)結(jié)MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(on))相當(dāng)?shù)停_(kāi)關(guān)性能非?？欤@是因?yàn)樗鼡碛须姾善胶饨Y(jié)構(gòu)，且輸入柵極電荷(Qg)要比平面MOSFET的低得多[5-7]。 這兩個(gè)參數(shù)的乘積(Qg* RDS(on))作為器件的品質(zhì)因數(shù)(FOM)。 此外，超級(jí)結(jié)MOSFET的體二極管反向恢復(fù)性能要比平面MOSFET [6]的高。 但是，超級(jí)結(jié)MOSFET需要更為復(fù)雜且昂貴的外延工藝，而且其體二極管性能的提升存在局限性，因?yàn)槎嗤庋訉咏Y(jié)構(gòu)導(dǎo)致難以進(jìn)行深入壽命控制。 而另一方面，制造平面MOSFET只需采用一個(gè)外延層即可，從而很容易進(jìn)行深入壽命控制。 因此，可大幅提升平面MOSFET的體二極管反向恢復(fù)性能，以防出現(xiàn)MOSFET故障[8]?！ ?/p>
據(jù)報(bào)道，在先前的操作[9-12]中，MOSFET故障是由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和nMOS的誤導(dǎo)通以及反向恢復(fù)模式下體二極管的dv/dt較高所造成的。 這三種類(lèi)型的MOSFET故障機(jī)理可以通過(guò)快速體二極管性能得到改善。 在反向恢復(fù)模式下，體二極管性能越快，則復(fù)位電流越小。 MOSFET故障中位移電流的效應(yīng)在[9-10]中已進(jìn)行了充分研究。 通常情況下，MOSFET的反向恢復(fù)特性比快速恢復(fù)二極管(FRD)要差[8，15-17]。 功率MOSFET的體二極管具有超長(zhǎng)反向恢復(fù)時(shí)間和高反向恢復(fù)電荷。
MOSFET的固有體二極管已在許多應(yīng)用中被用作關(guān)鍵元件，而且其特性已得到改進(jìn)。 鉑注入[13]和電子輻照[14]等壽命控制可增強(qiáng)MOSFET體二極管的性能。 FRFET® MOSFET[8]和Ultra FRFETTM MOSFET [16]均具有快速反向恢復(fù)特性Trr和Irr，分別于2008年和2009年開(kāi)發(fā)。 但是，這兩個(gè)MOSFET都有一定的缺點(diǎn)，比如：高導(dǎo)通電阻和漏源極泄漏電流。 因此，其應(yīng)用范圍僅限于冷陰極熒光燈(CCFL)背光單元(BLU)逆變器之類(lèi)的應(yīng)用，在這類(lèi)應(yīng)用中，更快的體二極管性能優(yōu)先于由其高導(dǎo)通電阻特性造成的傳導(dǎo)損耗[8，16]?！ ?/p>
最近，在開(kāi)發(fā)UniFETTM II MOSFET(一種高度優(yōu)化的功率MOSFET)的過(guò)程中大大改進(jìn)了dv/dt強(qiáng)度、體二極管性能和輸出電容的存儲(chǔ)能量(COSS)，同時(shí)還將負(fù)效應(yīng)(比如增大的導(dǎo)通電阻)降至最低[17]。 尤其是，UniFET II MOSFET的dv/dt強(qiáng)度和反向恢復(fù)性能得到充分提高，而且它們還不會(huì)引起器件故障。
本文介紹UniFET II MOSFET強(qiáng)大的體二極管特性，而且還提供能夠證明其用于150 W室內(nèi)HID燈鎮(zhèn)流器中混頻全橋逆變器的效率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果?！ ?/p>
評(píng)論