液化空氣集團(tuán)電子氣業(yè)務(wù)加強(qiáng)高介電常數(shù)鋯基前驅(qū)體的專利保護(hù)

　　液化空氣集團(tuán)電子氣業(yè)務(wù)線近日宣布，其應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的前驅(qū)體ZyALD?已獲得中國專利局授予的相關(guān)專利，從而使中國成為了繼韓國、新加坡、中國臺(tái)灣以及部分歐洲國家之后又一獲得該項(xiàng)專利的國家。此外，相關(guān)專利的申請工作在其他國家及地區(qū)也預(yù)期順利。ZyALD?及其它類似分子應(yīng)用于高介電常數(shù)沉積鍍膜，該工藝目前已在全球范圍內(nèi)獲得11項(xiàng)專利，另有13項(xiàng)專利正在申請中。

　　ZyALD?(三(二甲胺基)環(huán)戊二烯鋯)是上述已獲專利的系列分子中一種重要的鋯前驅(qū)體(功能分子)。該分子能夠在半導(dǎo)體制造工藝中，實(shí)現(xiàn)高溫條件下原子層沉積方法(ALD)沉積鋯基介電層。ZyALD?于2006年首次引入工業(yè)應(yīng)用，目前已成為世界范圍內(nèi)用于生產(chǎn)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的主流高介電常數(shù)前驅(qū)體，替代了在高溫環(huán)境下無法實(shí)現(xiàn)相應(yīng)功能的傳統(tǒng)分子。ZyALD?也可應(yīng)用于后道工藝“金屬-絕緣體-金屬”結(jié)構(gòu)(BEOL MIM Structure)以及嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(e-DRAM)中的高介電常數(shù)層。

　　憑借優(yōu)異的物理化學(xué)屬性以及較高的揮發(fā)性、熱穩(wěn)定性和沉積速率，ZyALD?已成為簡便易用的替代產(chǎn)品，并且通過拓展制造工藝的工藝平臺(tái)，幫助終端用戶實(shí)現(xiàn)從傳統(tǒng)化學(xué)品到ZyALD?的完美過渡。

　　ZyALD由液化空氣集團(tuán)的ALOHA?制造中心生產(chǎn)，工廠分別位于美國加州、法國沙隆以及日本筑波，為全球大客戶基地提供服務(wù)。面臨尖端半導(dǎo)體制造工藝的挑戰(zhàn)，ALOHA?產(chǎn)品線的各種前驅(qū)體提升了微電子制造中膜材料的機(jī)電性能，并加速了各種新興應(yīng)用。ALOHA?產(chǎn)品線可為45納米及以下的器件制造提供所需的尖端CVD和ALD前驅(qū)體，涵蓋從噸級別的硅前驅(qū)體和高介電常數(shù)材料到克級別的實(shí)驗(yàn)研發(fā)產(chǎn)品的需求。ALOHA?前驅(qū)體優(yōu)異的綜合實(shí)力包含超高純鋼瓶、由液化空氣集團(tuán)BALAZS?世界級分析技術(shù)所支持的極其嚴(yán)格的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)、以及授權(quán)客戶使用液空前驅(qū)體相關(guān)的知識產(chǎn)權(quán)。