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          未來十年GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場將以18%的速度穩(wěn)增

          —— 未來十年這一市場的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率
          作者: 時間:2013-05-03 來源:OFweek電子工程網(wǎng) 收藏

            在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機(jī)的需求驅(qū)動,新興的碳化硅()和氮化鎵()功率市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/144884.htm

            據(jù)有關(guān)報(bào)告稱,至2022年功率的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預(yù)測,未來十年這一市場的銷售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。

            肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結(jié)晶性場效應(yīng)晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。功率則剛剛進(jìn)入市場。GaN是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢的寬帶隙材料,但擁有更大的成本控制潛力。

            據(jù)分析師預(yù)測,氮化鎵上硅設(shè)備與硅MOSFET、IGBT或整流器將在2019年實(shí)現(xiàn)平價和同等性能,至2022年GaN功率市場銷售額將超過10億大關(guān)。

            SiC肖特基二極管在2012年的銷售額超過1億美元,是目前最暢銷的SiC或GaN設(shè)備。至2022年這一數(shù)字將增加近一倍。

            到那時,SiCMOSFET銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到4億美元,超越肖特基二極管成為最熱賣的離散電源設(shè)備類型。雖然可靠性、價格及性能相近,SiCJFET和SiCBJT各自的銷售額預(yù)計(jì)僅達(dá)到SiCMOSFET的一半。

            雖然IHS預(yù)測SiC和GaN市場未來幾年增長強(qiáng)勁,但與一年前相比,這一預(yù)測已是大打折扣了。這一變化的主要原因在于,全球經(jīng)濟(jì)的低迷現(xiàn)狀使市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)低了對功率組件設(shè)備的出貨量預(yù)測。SiC采用率預(yù)測也被大幅調(diào)低,因?yàn)樵O(shè)備價格并未如此前預(yù)測那樣快速下跌。

            相比之下,業(yè)界對GaN技術(shù)的信心有所提高,越來越多公司已宣布進(jìn)行GaN研發(fā)。例如Transphorm已成為首家獲得氮化鎵上硅設(shè)備JEDEC資格的公司。



          關(guān)鍵詞: GaN 半導(dǎo)體 SiC

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