英特爾下代眾核處理器將采用14nm工藝制造 可用作主處理器

　　英特爾在“2013 International Supercomputing Conference(ISC2013)”(2013年6月16日～20日在德國萊比錫舉行)上發(fā)布了“Xeon Phi協(xié)處理器”的新產(chǎn)品并披露了下一代產(chǎn)品的部分情況。Xeon Phi協(xié)處理器是配備基于“MIC(眾核)架構(gòu)”的處理器芯片的PCI Express擴展卡，MIC架構(gòu)具有多個支持x86指令集的處理器內(nèi)核。

　　Xeon Phi協(xié)處理器的首款產(chǎn)品是2012年11月發(fā)布的“Xeon Phi協(xié)處理器5110P”。5110P配備的MIC處理器芯片采用22nm Fin FET工藝制造。此次發(fā)布的第二代Xeon Phi協(xié)處理器共有5款，同樣配備了采用22nm Fin FET工藝制造的處理器芯片。

　　采用現(xiàn)行工藝的產(chǎn)品達到6款

　　新產(chǎn)品中，“Xeon Phi協(xié)處理器7120P”和“Xeon Phi協(xié)處理器7120X”這兩款的性能比5110P高，內(nèi)核數(shù)量為61個，比5110P多一個(未公布集成的內(nèi)核種類是否相同)。工作頻率為1.238GHz(使用智能加速技術(shù)時為最大1.333GHz)，比5110P的1.053GHz略高。雙倍精度運算峰值達到1.2TFLOPS，也比5110P的1.011TFLOPS略高。熱設計功率最大300W，比5110P的225W略大。

　　最大差異在于配備的內(nèi)存的容量，7120P/7120X的內(nèi)存是5110P的兩倍，達到16GB，改善了5110P中被視為弱點的內(nèi)存容量。建議定制價格為4120美元，遠遠高于5110P的2649美元。估計7120P將采用與5110P相同的封裝來提供，7120X直接以板卡形式提供。

　　另外3款產(chǎn)品中，“Xeon Phi協(xié)處理器3120P”和“Xeon Phi協(xié)處理器3120A”這兩款的性能比5110P要低，內(nèi)核數(shù)量為57個(未公布內(nèi)核種類是否不同)，工作頻率為1.1GHz，雙倍精度運算峰值性能為1.0TFLOPS，熱設計功率最大300W，內(nèi)存容量為6GB，建議定制價格為1695美元。估計3120P將采用與5110P相同的封裝來提供，3120A采用帶冷卻扇的封裝來提供。

　　最后一款產(chǎn)品是“Xeon Phi協(xié)處理器5120D”，內(nèi)核數(shù)量及工作頻率等與5110P相同。熱設計功率最大245W，建議定制價格為2759美元，比5110P略高。5120D高密度封裝在比5110P小的板卡上，估計是設想直接安裝在服務器基板上使用。

　　準備大幅改善內(nèi)存帶寬

　　Xeon Phi協(xié)處理器的下一代產(chǎn)品“Knights Landing”(開發(fā)代號)將采用14nm FinFET工藝制造。與以上介紹的采用現(xiàn)行工藝的Xeon Phi協(xié)處理器一樣，除了以封裝在PCI Express板卡上的形式提供之外，還將以能夠作為主處理器使用的形式提供。用作主處理器時，插入主板的CPU插槽中使用，可同時處理主處理器的工作負荷和被卸載(Off-Load)的協(xié)處理器的工作負荷。這樣一來，在經(jīng)由PCI Express的數(shù)據(jù)傳輸方面，便可擺脫復雜的編程。

　　另外，英特爾還表示，Knights Landing為了大幅提高內(nèi)存帶寬，將選用集成到封裝上(On Package)的DRAM內(nèi)存。