基于浮柵技術的閃存介紹
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這個劑量數(shù)值對恒憶閃存的閾值電壓參數(shù)分布未產(chǎn)生任何可以測量的影響。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/148573.htm
這意味著恒憶客戶使用X射線檢查提前焊好的印刷電路板，無需給閃存重新編程，無需對在正常制造過程中已完成擦除操作的閃存進行擦除操作，也無需為確保存在存儲陣列的數(shù)據(jù)的可靠性而應用一個雙重編程算法。
下圖是在對整個存儲陣列施加低于1Rad劑量的X射線前后的閾壓分布曲線和對整個存儲陣列施加30 Rad的X射線前后的閾壓分布曲線，被測試器件是恒憶的車用16Mbit串行閃存M25P16。
圖3 施加1 Rad / 30 Rad射線前后的閾壓分布曲線圖
為證明前述測試結果的有效性，查找可能的臨界條件，X射線劑量值被提高1000倍 (2.5 KRad )，并進行兩次回流焊。
圖4 在受2500 Rad射線照射前后的閾壓分布曲線
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