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          微處理器的低功耗芯片設計技術詳解

          作者: 時間:2011-08-08 來源:網(wǎng)絡 收藏

          隨著半導體工藝的飛速發(fā)展和工作頻率的提高,迅速增加,而增加又將導致發(fā)熱量的增大和可靠性的下降。因此,已經(jīng)成為深亞微米集成電路中的一個重要考慮因素。為了使產(chǎn)品更具競爭力,工業(yè)界對芯片的要求已從單純追求高性能、小面積轉為對性能、面積、功耗的綜合要求。而作為數(shù)字系統(tǒng)的核心部件,其低功耗對降低整個系統(tǒng)的功耗具有重要的意義。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/150405.htm

            本文首先介紹了的功耗來源,重點介紹了常用的低功耗設計,并對今后低功耗設計的研究方向進行了展望。

            1 微處理器的功耗來源

            研究微處理器的低功耗設計,首先必須了解它的功耗來源。高層次仿真得出的結論如圖1所示。

            從圖1中可以看出,時鐘單元(Clock)功耗最高,因為時鐘單元有時鐘發(fā)生器、時鐘驅動、時鐘樹和鐘控單元的時鐘負載;數(shù)據(jù)通路(Datapath)是僅次于時鐘單元的部分,其功耗主要來自運算單元、總線和寄存器堆。除了上述兩部分,還有存儲單元(Memory),控制部分和輸入/輸出 (Control,I/O)。存儲單元的功耗與容量相關。

            如圖2所示,CMOS電路功耗主要由3部分組成:電路電容充放電引起的動態(tài)功耗,結反偏時漏電流引起的功耗和短路電流引起的功耗。其中,動態(tài)功耗是最主要的,占了總功耗的90%以上,表達式如下:

            式中:f為時鐘頻率,C1為節(jié)點電容,α為節(jié)點的翻轉概率,Vdd為工作電壓。

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