嵌入式技術(shù)在電流傳感器蓄電池中的應(yīng)用

　　說明：

　　a 由于AT91SAM9261采用Dataflash的啟動的方式只能工作在溫度高于0℃低于70℃的范圍，一旦溫度低于0℃將無法啟動。為了解決這個問題，只能使ARM采用外部啟動即NOR FLASH啟動的方式，因此需要選擇啟動模式為外部啟動（BMS=0），以達(dá)到工業(yè)現(xiàn)場的溫度要求。

　　b Norflash存儲器芯片選擇AMD公司的AM29LV160DB，其容量為4M*16bit，用于存儲BOOT程序，小型操作系統(tǒng)及小型應(yīng)用程序。設(shè)計(jì)時采用字對齊方式，即芯片的A0地址線對應(yīng)ARM芯片的A1地址線。另外由于ATMEL官方提供的SAM-BA燒寫程序僅支持Dataflash和Nandflash，因此有必要修改SAM-BA的腳本文件以實(shí)現(xiàn)對Norflash的燒寫

　　c Nandflash存儲器芯片選擇三星公司的K9F1208U0B，其存儲容量為存儲容量：64M*16bit， 采用wince或者linux的操作系統(tǒng)時使用該芯片中存儲操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序；如使用ucos之類的小型操作系統(tǒng)時，則該芯片可以省略不焊接，系統(tǒng)與BOOT程序存儲在Norflash即可。

　　d Sdram芯片采用MT48LC16M16A2TG-75IT:D，每片容量為16M*16bit，本系統(tǒng)中采用兩片SDRAM構(gòu)成32數(shù)據(jù)總線。由于Sdram芯片為整個嵌入式平臺的內(nèi)存，需要頻繁地與CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交互，為了實(shí)現(xiàn)較好的信號完整性，在靠近ARM的地址和控制總線上串聯(lián)22歐姆平衡電阻吸收信號反射。當(dāng)采用小型操作系統(tǒng)時候，操作系統(tǒng)可在ARM內(nèi)部的SRAM中運(yùn)行，Sdram可以省略不焊接。

　　e 擴(kuò)展接口將ARM芯片的所有可用接口皆擴(kuò)展出來，用于和擴(kuò)展板連接。

　　f 由于信號密集，同時需要將接口全部引出并保證良好的電磁兼容性效果，PCB采用六層板PCB設(shè)計(jì)方式，采用信號層——地層——信號層——電源層——地層——信號層的方式。

　　為了保證高頻工作的效果，設(shè)計(jì)時考慮將兩片SDRAM的各總線設(shè)計(jì)為等長，同時采用兩面布局和蛇形走線等技術(shù)手段。

　　3.2 擴(kuò)展板部分設(shè)計(jì)

　　擴(kuò)展板的設(shè)計(jì)框圖如下：

　　說明：

　　a SPI flash芯片用于存儲蓄電池傳感器采得的數(shù)據(jù)。此處將芯片的寫保護(hù)腳使用ARM的一個I/O口管理起來，以防上電或者掉電時修改片內(nèi)的數(shù)據(jù)。