NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)

③只發(fā)現(xiàn)一張最高版本并且有效地壞塊表Vn+1，并且有1張有效壞塊表Vn——發(fā)生在寫第二張Vn+1突然掉電，并且之前寫第二張Vn也發(fā)生掉電；
④僅發(fā)現(xiàn)一張壞塊表V0——發(fā)生在系統(tǒng)寫第二張V0時(shí)掉電，此時(shí)系統(tǒng)需重新掃描建立映射表V1；
⑤沒有發(fā)現(xiàn)任何壞塊表——系統(tǒng)最初狀態(tài)；
⑥兩個(gè)完整的壞塊表Vn+1，但num_bad_blk不一樣——這種情況發(fā)生在更新第二個(gè)壞塊表Vn+1時(shí)，寫的時(shí)候出錯(cuò)，產(chǎn)生一個(gè)新的壞塊，從而第二次更新的壞塊表Vn+1的壞塊數(shù)增加了。
對(duì)于情況①，只需在系統(tǒng)最初建立前建立好映射關(guān)系即可。
對(duì)于情況②，它經(jīng)常出現(xiàn)在系統(tǒng)在寫或者擦除Flash數(shù)據(jù)塊時(shí)突然斷電，導(dǎo)致數(shù)據(jù)或者ECC變化，從而Flash讀導(dǎo)致ECC不正確。實(shí)際上Fl-ash塊并沒有壞。根據(jù)此種情況，將首先為此塊分配一個(gè)映射塊，并把數(shù)據(jù)拷入映射塊。接著對(duì)此塊進(jìn)行torture操作，如果發(fā)現(xiàn)它為好塊，則將之前映射操作撤銷，將數(shù)據(jù)重新拷入此好塊。如果此塊確實(shí)已壞，則將此塊標(biāo)記為壞塊，并更新映射表。
對(duì)于情況③，分配一個(gè)新的映射塊，把有效數(shù)據(jù)寫入新塊，并建立映射信息。
對(duì)于情況④，分配一個(gè)新的映射塊，并將此塊查出，然后建立映射信息。
對(duì)于情況⑤，掃描整個(gè)Flash，建立映射表Vn、V0。
對(duì)于情況⑥，則采用壞塊多的映射表Vn+1，并用它更新Vn+2、Vn+2。
2．2．2 壞塊管理及上層接口實(shí)現(xiàn)
該模塊實(shí)現(xiàn)基于上節(jié)所述壞塊管理算法對(duì)Flash的所有有效塊的使用。它主要是處理運(yùn)行中產(chǎn)生壞塊的情況，并讓上層程序屏蔽此信息。
NAND Flash的壞塊包含如下三種類型：
◆Flash上存在的出廠壞塊；
◆讀過程發(fā)生比特反轉(zhuǎn)而被視為的壞塊；
◆操作過程(讀，寫，擦除)中產(chǎn)生的新的壞塊。
對(duì)于此模塊主要完成后兩種動(dòng)態(tài)壞塊類型的處理過程。對(duì)于出廠壞塊，只需在初始化時(shí)檢測(cè)出來并將其映射到一個(gè)好塊，以后的讀寫過程中對(duì)映射塊操作即可。
對(duì)于運(yùn)行中產(chǎn)生的壞塊，從操作類型(讀、寫、擦除)來進(jìn)行分別處理。
①讀過程中的比特反轉(zhuǎn)導(dǎo)致ECC錯(cuò)誤，由于比特反轉(zhuǎn)是NAND工藝決定的，且是不可避免的隨機(jī)行為，所以不能簡(jiǎn)單地根據(jù)ECC錯(cuò)誤就將其當(dāng)作壞塊處理。具體處理流程如圖4所示，通過torture操作判斷此“壞塊”已真正成為壞塊。

如果NAND Flash在執(zhí)行擦除或?qū)懖僮鬟^程時(shí)發(fā)生斷電，則所操作的塊內(nèi)的數(shù)據(jù)具有不確定性。下次讀該塊的內(nèi)容時(shí)，可能發(fā)生無法糾正的ECC錯(cuò)誤。為了能處理這種情況，圖4中的torture處理，其實(shí)現(xiàn)原理就是選擇一些數(shù)據(jù)寫入該塊，再讀出，如果不一致則該塊已變成壞塊。