相變化內(nèi)存原理分析及設(shè)計(jì)使用技巧

　　_NOR和SRAM

　　_NOR+NAND和SRAM或PSRAM

　　_NOR或NAND+DRAM或移動(dòng)SDRAM

　　這些系統(tǒng)很少用非揮發(fā)性內(nèi)存保存臨時(shí)數(shù)據(jù)，也從來不用RAM保存編碼，因?yàn)樵谌绻麤]電RAM就會失去全部內(nèi)容。相變化內(nèi)存有助于簡化這些配置，保存數(shù)據(jù)和編碼可以只用單一相變化內(nèi)存芯片或一個(gè)PCM數(shù)組，在一般情況下就不再需要將非揮發(fā)性內(nèi)存芯片搭配RAM芯片使用。

　　相變化內(nèi)存還有一個(gè)好處，程序員現(xiàn)在只需考慮編碼量和數(shù)據(jù)量，而不必?fù)?dān)心編碼和數(shù)據(jù)的儲存空間是兩個(gè)分開的儲存區(qū)。如果數(shù)據(jù)儲存空間增加幾個(gè)字節(jié)，還可以從編碼儲存空間“借用”儲存空間，這在除相變化內(nèi)存以外的其它任何拓?fù)渲卸际遣豢赡艿摹?p>　　相變化內(nèi)存的工作原理

　　相變化內(nèi)存有晶體和非晶體兩種狀態(tài)，正是利用這種特殊材料的變化狀態(tài)決定數(shù)據(jù)位是1還是0。和利用液晶的方向阻擋光線或傳遞光線的液晶顯示器同樣原理，在相變化內(nèi)存內(nèi)，儲存數(shù)據(jù)位的硫系玻璃可以允許電流通過(晶態(tài))，或是阻止電流通過(非晶態(tài))。

　　在相變化內(nèi)存的每個(gè)位的位置都有一個(gè)微型加熱器，通過熔化然后再冷卻硫系玻璃，來促進(jìn)晶體成長或禁止晶體成長，每個(gè)位就會在晶態(tài)與非晶態(tài)之間轉(zhuǎn)換。設(shè)定的脈沖信號將溫度升高到玻璃熔化的溫度，并維持在這個(gè)溫度一段時(shí)間;一旦晶體開始生長，就立即降低溫度。一個(gè)復(fù)位脈沖將溫度升高，然后在熔化材料形成晶體前快速降低溫度，這個(gè)過程在該位位置上產(chǎn)生一個(gè)非晶或不導(dǎo)電的材料結(jié)構(gòu)(圖2)。

　　加熱器的尺寸非常小，能夠快速加熱微小的硫系材料的位置，加熱時(shí)間在納秒量級內(nèi)，這個(gè)特性準(zhǔn)許進(jìn)行快速寫入操作、防止讀取操作干擾相鄰的數(shù)據(jù)位。此外，加熱器的尺寸隨著工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)縮小而變小，因此與采用大技術(shù)節(jié)點(diǎn)的上一代相變化內(nèi)存相比，采用小技術(shù)節(jié)點(diǎn)相變化內(nèi)存更容易進(jìn)行寫入操作。相變化內(nèi)存技術(shù)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)極限遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于NAND和NOR閃存(圖3)。