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          降低手機(jī)射頻功率放大器的功耗及提升效率的方法

          作者: 時(shí)間:2012-10-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          如圖1所示為可見,SiGe技術(shù)在器件上的應(yīng)用已經(jīng)跟RF CMOS技術(shù)相當(dāng),有理由相信,下一步目標(biāo)就是超越GaAs技術(shù)而占據(jù)主流。

          本文總結(jié)

          隨著多種無線通信標(biāo)準(zhǔn)在手持設(shè)備上的應(yīng)用,只有進(jìn)一步,才能延長便攜式設(shè)備的電池使用時(shí)間,從而獲得更加的用戶體驗(yàn)。本文通過對(duì)所采用的三種主要工藝技術(shù)進(jìn)行的簡要比較,指出未來的發(fā)展趨勢在于采用SiGe工藝技術(shù)來制造射頻,這是無線電電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要關(guān)注的技術(shù)趨勢。

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