UHF RFID標簽芯片模擬射頻前端設計
2.5 調(diào)制電路
根據(jù)標準要求采用反向散射的調(diào)制方法,通過改變芯片輸入阻抗來改變芯片與天線間的反射系數(shù),從而實現(xiàn)ASK調(diào)制。天線阻抗與芯片輸入阻抗在“0”狀態(tài)下共軛匹配,而在“1”狀態(tài)下存在一定失配。圖6為調(diào)制電路框圖,電容C1并聯(lián)在天線兩端,晶體管M1等效為一個開關,通過控制開關的開啟,決定了電容是否接入芯片輸入端,從而改變了芯片的輸入阻抗,最終實現(xiàn)ASK調(diào)制。本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/157472.htm
2.6 時鐘產(chǎn)生電路
時鐘產(chǎn)生電路采用環(huán)形振蕩器電路,并加入電壓和溫度補償電路,保證在不同的工作電壓和溫度下,頻率偏移在規(guī)定的范圍(±1%)內(nèi),電路框圖如圖7所示。電壓補償主要依靠一個電壓基準電路產(chǎn)生一個基準電壓源,提供給五級環(huán)形振蕩器作為工作電壓,這樣就能保證在輸入電壓在O.9~1.1 V變化范圍內(nèi),最大頻偏能滿足要求。環(huán)形振蕩器的振蕩頻率呈正溫度系數(shù)特性,故需加入一個負溫度系數(shù)的補償電路,并優(yōu)化五級環(huán)形振蕩器的有源器件的寬長比,使其溫度系數(shù)恰與自身的溫度系數(shù)互補,使時鐘產(chǎn)生電路輸出頻率穩(wěn)定。
3 測試結果
基于Cadence Spectre設計仿真平臺和TSMC0.18μm CMOS混合信號工藝,對UHF RFID標簽芯片模擬射頻前端進行設計和仿真,并通過MPW項目流片實現(xiàn)。模擬射頻前端芯片不含測試焊盤的核心電路的芯片面積為490μm×420μm,圖8是芯片實物照片。
使用Agilent E4432B信號源對模擬射頻前端進行激勵,輸入載頻為915 MHz的ASK調(diào)制信號。圖9為整流電路輸出波形,并測得穩(wěn)壓電路高、低輸出電壓分別穩(wěn)定在1.O V和1.8 V。圖10解調(diào)電路的輸出波形,可看出該電路能正確解調(diào)40~160 kHz的ASK調(diào)制信號。圖11(a)是上電復位電路輸出波形,脈沖寬度大于30μs。時鐘產(chǎn)生電路輸出如圖11(b)所示,可看出波形近似方波且占空比約50%。使用AgilentN5230A矢量網(wǎng)絡分析儀給芯片輸入頻率為915 MHz,功率-5 dBm的測試信號,測得“O”和“1”兩種狀態(tài)下標簽反射系數(shù)相差12%。
4 結語
這里設計了符合ISO18000-6C/B標準的UHFRFID無源標簽芯片模擬射頻前端。模擬射頻前端包括整流器、穩(wěn)壓電路、調(diào)制解調(diào)器、時鐘電路和上電復位電路等模塊。采用TSMCO.18μm CMOS混合信號工藝設計、仿真、流片,其核心面積為490μm×420 μm。測試結果表明,該模擬射頻前端各模塊性能能夠較好地滿足UHF RFID標簽芯片的系統(tǒng)指標要求。
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