D類(lèi)MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用

實(shí)際上，可以將MOS管的漏極D和源極S當(dāng)作一個(gè)受柵極電壓控制的開(kāi)關(guān)來(lái)使用：當(dāng)VGS>VT時(shí)，漏極D與源極S之間相當(dāng)于連接了一個(gè)小阻值的電阻，這相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合；當(dāng)VGSVT時(shí)，漏極D與源極S之間為反向PN結(jié)所隔開(kāi)，此時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。
由于MOSFET是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此驅(qū)動(dòng)功率小，而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。同時(shí)，輸入電路的功耗可大大減小，有助于控制并實(shí)現(xiàn)最大功率。場(chǎng)效應(yīng)管是多數(shù)載流子導(dǎo)電，不存在少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，適宜于在環(huán)境條件變化比較劇烈的情況下。另外，它還具有較高的開(kāi)啟電壓(即閾值電壓)，因此具有較高的噪聲容限和抗干擾能力。MOSFET通常由于具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)和二次擊穿。由于該器件有一個(gè)零溫度系數(shù)的工作點(diǎn)，即當(dāng)柵極電壓在某一合適的數(shù)值時(shí)，ID不受溫度變化的影響，因而具有很好的熱穩(wěn)定性。

2 D類(lèi)MOSFET在射頻功放中的應(yīng)用
現(xiàn)以美國(guó)哈里斯(HARRIS)公司研發(fā)的數(shù)字化調(diào)幅(DIGITAL AMPLITUDE MODULATION)發(fā)射機(jī)為例，來(lái)說(shuō)明D類(lèi)MOSFET在射頻功放中的應(yīng)用。
數(shù)字調(diào)幅就是將控制載波電平和音頻調(diào)制的模擬信號(hào)首先轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，再經(jīng)過(guò)編碼變成控制射頻功放模塊開(kāi)通和關(guān)斷的控制信號(hào)，通過(guò)控制相應(yīng)數(shù)目的射頻功放模塊的開(kāi)通或者關(guān)斷數(shù)量來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)幅。DAM發(fā)射機(jī)取消了傳統(tǒng)的高電平音頻功放，而且所有的射頻功率放大器均工作于D類(lèi)開(kāi)關(guān)狀態(tài)，故其整機(jī)效率明顯高于其它制式的發(fā)射機(jī)，典型效率可達(dá)到86％。圖3所示為DX一200型DAM發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器模塊的原理方框圖。