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          D類MOSFT在發(fā)射機(jī)射頻功放中的應(yīng)用
          
						
          
				作者：
				時間：2009-12-11
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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			DX一200型DAM發(fā)射機(jī)射頻功放模塊中使用的MOS管型號為IRFP360，它們都工作于D類開關(guān)狀態(tài)，即在射頻周期的半個周期飽和導(dǎo)通，相當(dāng)于開關(guān)閉合；而在另半個周期截止，相當(dāng)于開關(guān)斷開。每個功放模塊共使用八只MOS管，被接成橋式組態(tài)。來自調(diào)制編碼器的信號可用來控制射頻功放模塊的接通／關(guān)斷。每兩個MOS管組成一個開關(guān)。電路中共有四個由MOS管組成的開關(guān)。其中，Q1／Q3與Q6／Q8的射頻激勵信號相位相同，圖3中標(biāo)示為0°；Q2／Q4和Q5／Q7的射頻激勵信號同相位，圖3中標(biāo)示為180°?？梢?，橋式組態(tài)的MOS管為交替導(dǎo)通狀態(tài)，并且其交替頻率就是射頻激勵信號的頻率，即發(fā)射機(jī)的載波頻率。
          2．1 全橋組態(tài)工作原理
           圖4所示為射頻放大器的全橋組態(tài)，即四對MOS管用作開關(guān)。射頻激勵信號的相位情況是當(dāng)射頻功放模塊接通時，這些開關(guān)中只有兩個可以組合起來。并且，在激勵信號的正半周，標(biāo)示為0°的MOS管處于正半周，標(biāo)示為180°的MOS管處于負(fù)半周。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/157734.htm
           在射頻周期的負(fù)半周，Ql／Q3和Q6／Q8處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開關(guān)斷開；Q2／Q4和QS／Q7則是飽和導(dǎo)通的，相當(dāng)于開關(guān)接通。Q2／Q4和QS／Q7串聯(lián)導(dǎo)通電源電壓為+V，若忽略MOS管的飽和壓降，+V將全部降落在合成變壓器上。在射頻周期的正半周，Q1／Q3和Q6／Q8處于導(dǎo)通狀態(tài)，Q2／Q4和QS／Q7為截止?fàn)顟B(tài)。Ql／Q3和Q6／Q8串聯(lián)導(dǎo)通電源電壓+V，+V全部降落在合成變壓器上。由圖4可見，合成變壓器初級電壓方波輸出相差180°，說明輸出電壓的峰峰值為+2V。MOS開關(guān)的作用就是有效地將整個電源電壓跨接在合成變壓器的初級繞組上，在射頻激勵信號的每半個周期是反相的。作為全橋組態(tài)，輸出就是兩倍電源電壓的射頻輸出。為了防止直流電壓通過變壓器的繞組通地，應(yīng)在每部分的射頻輸出都串聯(lián)有隔直電容C。
          2．2 半橋組態(tài)工作原理
           以Q1／Q3和QS／Q7的工作情況為例，其工作原理如圖5所示。
           
				
            
          
                
			
							
          
                
			            
                            
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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