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          英盛德:FinFET技術(shù)日盛 前景可觀

          作者: 時(shí)間:2013-08-12 來(lái)源:集微網(wǎng) 收藏

            根據(jù)美國(guó)商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo),世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問(wèn)公司之一的英盛德()認(rèn)為,技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來(lái)新的挑戰(zhàn),因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來(lái)的尺寸優(yōu)勢(shì)中受惠。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/158881.htm

            工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說(shuō):「最近,在德州召開(kāi)的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上,展場(chǎng)中討論技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣,我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)——已在向多重閘極(multi-gate)或三閘極(tri-gate)這類技術(shù)進(jìn)軍。這些企業(yè)希望從這項(xiàng)技術(shù)中受惠,因?yàn)樾录軜?gòu)可以減小產(chǎn)品尺寸,并進(jìn)一步提高整合度和效能。實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)技術(shù)并不僅僅只是從一個(gè)制程節(jié)點(diǎn)直接向下一個(gè)制程節(jié)點(diǎn)過(guò)渡。20奈米以下的架構(gòu)要求用戶掌握使用新的工具;它并非只是縮小形體尺寸和使用標(biāo)準(zhǔn)元件布局技術(shù)那么簡(jiǎn)單?!?/p>

            英盛德執(zhí)行長(zhǎng)Graham Curren補(bǔ)充說(shuō):「聘請(qǐng)像我們這類專業(yè)設(shè)計(jì)公司的主要原因之一在于,企業(yè)一般難以承擔(dān)這筆花費(fèi)——時(shí)間或資金——從而讓其工程團(tuán)隊(duì)瞭解所有最新的設(shè)計(jì)創(chuàng)新。英盛德的模式就是將具體的專長(zhǎng)融入合作當(dāng)中。因此,例如,就技術(shù)而言,為了徹底瞭解和掌握FinFET積體電路設(shè)計(jì),我們已經(jīng)投入了大量的精力?!?/p>



          關(guān)鍵詞: Sondrel FinFET

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