三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。

　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。

　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫(xiě)入性能也可達(dá)到1xnm NAND閃存的兩倍。Tb(128GB)級(jí)別的閃存芯片指日可待。

　　早在2006年，三星就研發(fā)了CTF技術(shù)。在這種結(jié)構(gòu)的NAND閃存中，電荷被臨時(shí)存放在氮化硅(SiN)材料制成的非導(dǎo)電層上，而不是用浮動(dòng)?xùn)艠O阻斷相鄰單元的干擾?，F(xiàn)在，三星又成功把這種結(jié)構(gòu)推向了三維層面。

　　此外，三星自己研發(fā)的垂直互連工藝可以將最多24個(gè)單元層堆疊在一起，并且使用特殊的蝕刻技術(shù)從最高層到最底層打孔，實(shí)現(xiàn)各個(gè)層的電子互連。

　　三星還驕傲地披露，經(jīng)過(guò)十多年的研發(fā)，他們已經(jīng)在3D存儲(chǔ)技術(shù)上擁有300多項(xiàng)專利。

　　三星的V-NAND閃存廣泛適用于消費(fèi)電子和企業(yè)級(jí)應(yīng)用，包括嵌入式NAND存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤(pán)。