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思爾芯加入甲辰計劃，共推RISC-V生態(tài)
- 據(jù)甲辰計劃官微消息，日前，思爾芯（S2C）宣布正式加入甲辰計劃(RISC-V Prosperity 2036)。思爾芯將利用其芯神瞳原型驗證系統(tǒng)，為包括SG2380和香山在內(nèi)的高性能RISC-V處理器及IP提供演示平臺，助力業(yè)界開發(fā)符合各類商業(yè)應(yīng)用的解決方案。據(jù)了解，“甲辰計劃”由ASE實驗室、PLCT實驗室和算能（Sophgo）聯(lián)合發(fā)起，旨在推動RISC-V在未來12年內(nèi)實現(xiàn)從數(shù)據(jù)中心到桌面辦公、從移動設(shè)備到智能物聯(lián)網(wǎng)的全方位信息產(chǎn)業(yè)覆蓋，打造開放標準體系及開源系統(tǒng)軟件棧。該計劃的核心目標是圍繞SG23
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2024二季度NAND Flash出貨增長放緩，AI SSD推動營收季增14%
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于Server（服務(wù)器）終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上AI推動了大容量存儲產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲，但因為PC和智能手機廠商庫存偏高，導(dǎo)致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷售單價上漲了15%，總營收達167.96億美元，較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài)，并計劃在第三季擴大產(chǎn)能，以滿足AI和服務(wù)器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場表現(xiàn)不佳，
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TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩，AI SSD 推動營收環(huán)比增長 14%
- IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報告指出，由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應(yīng)客戶對
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RISC-V發(fā)展，將迎來蝶變
- RISC-V因具備開源、開放、簡潔、靈活等優(yōu)秀特性，吸引了全球大量的開發(fā)者和公司，其中不乏有芯片相關(guān)企業(yè)的影子，包括Arm、英特爾、阿里巴巴旗下半導(dǎo)體企業(yè)平頭哥、Tenstorrent、賽昉科技、SiFive、晶心科技、奕斯偉計算等已部署RISC-V。此外，截至2023年底，RISC-V國際基金會已經(jīng)擁有了4423個成員，同比增長28%，遍布全球70多個國家。RISC-V露于臺前，多方駛?cè)胭惖篱_源新架構(gòu)RISC-V勢頭越來越盛，又一歐洲芯片大廠入局。當(dāng)?shù)貢r間8月29日，意法半導(dǎo)體（ST）宣布，已加入RIS
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推動RISC-V CPU性能快速提升并向上打開更多的高價值市場
- 8月21-23日，2024年RISC-V中國峰會在杭州黃龍飯店舉行。作為已推出多款I(lǐng)magination Catapult系列RISC-V CPU半導(dǎo)體知識產(chǎn)權(quán)（IP）的提供商，以及全球領(lǐng)先的GPU和AI加速器IP廠商，Imagination Technologies積極參與了此項中國大陸規(guī)格最高、規(guī)模和影響力最大的專業(yè)會議之一，并在大會現(xiàn)場展示了其RISC-V CPU+GPU集成優(yōu)化平臺。Imagination專家就如何利用系統(tǒng)性創(chuàng)新加速RISC-V CPU的采用和普及、借助GPU在智能化時代加速RIS
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打破x86/ARM壟斷！全球首款國產(chǎn)南湖CPU RISC-V筆記本發(fā)布
- 8月26日消息，在日前舉辦的2024年RISC-V中國峰會上，深圳市群芯閃耀科技有限公司發(fā)布全球首款香山筆記本——如意香山本。據(jù)介紹，如意香山本由中國科學(xué)院軟件研究所牽頭主導(dǎo)，群芯閃耀科技、英麒智能、北京開芯院多方共同參與研發(fā)，是全球首款搭載香山南湖處理器的筆記本。配置上，如意香山本采用14寸高清LCD屏，搭載最高2.5GHz的香山南湖處理器，配備8GB DDR5，集成AMD RX550獨顯，支持雙屏異顯。接口方面，筆記本提供2個高速USB3接口，2個2.5Gbps以太網(wǎng)口，同時配備了一個支持9種手勢操作
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最近，有件大事需要關(guān)注…
- 最近，有件圈內(nèi)不少人都關(guān)注的大事，就是2024 RISC-V 中國峰會即將召開，并且將舉辦點落在了杭州——這座既承載著深厚文化底蘊又引領(lǐng)著數(shù)字科技潮流的城市。杭州與RISC-V的緣分在阿里巴巴成為RISC-V的首批基金會成員開始就寫好了。 RISC-V歷史并不悠久，短短十幾年光陰，幾句話就能說得完。2010年，加州伯克利的David Patterson教授與其學(xué)生團隊準備做一個CPU，但是Intel和ARM高昂的授權(quán)費用讓他們下決心自己做一套開源的指令集。于是經(jīng)過了幾個
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賽昉推出 64 位極低功耗亂序 RISC-V CPU 內(nèi)核 IP 昉?天樞-70
- IT之家 8 月 16 日消息，國內(nèi) RISC-V 生態(tài)企業(yè)賽昉科技昨日宣布推的新款 64 位 RISC-V 處理器內(nèi)核產(chǎn)品昉?天樞-70（IT之家注：即 Dubhe-70），適合同時對高性能與極低功耗有要求的細分領(lǐng)域。昉?天樞-70 內(nèi)核采用 9+ 級流水線、三發(fā)射、超標量、亂序執(zhí)行設(shè)計，支持 RV64GCBH 指令集，在 SPECint2006 基準測試中每 GHz 頻率得分為 7.2 分，性能對標 Arm Cortex-A72 / A510。賽昉此前已推出“主打極致性能”的昉?天樞-90（
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SiFive宣布推出全新高性能RISC-V數(shù)據(jù)中心處理器，適用于高強度的AI工作負載
- 代表RISC-V計算領(lǐng)域黃金標準的SiFive, Inc.宣布推出全新SiFive Performance P870-D數(shù)據(jù)中心處理器，以滿足客戶對高度并行的基礎(chǔ)設(shè)施工作負載（包括視頻流、存儲和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備）的需求。通過與SiFive Intelligence系列中的產(chǎn)品相結(jié)合，數(shù)據(jù)中心架構(gòu)師還可以構(gòu)建一個極高性能、節(jié)能的計算子系統(tǒng)並用于AI驅(qū)動的應(yīng)用程序。P870-D以P870的成功經(jīng)驗為基礎(chǔ)，支持開放的AMBA CHI協(xié)議，讓客戶在擴展集群數(shù)量時擁有更大的靈活性。這種可擴展性允許客戶在提高性能的同時最大限
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消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資，目標明年 6 月投運
- IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內(nèi)部已確認在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計劃，該產(chǎn)線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備，但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內(nèi)存工藝，各家的 1c nm（或?qū)?yīng)的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
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1000層3D NAND Flash時代即將到來
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
存儲亮劍！NAND技術(shù)多點突破
- 人工智能（AI）市場持續(xù)火熱，新興應(yīng)用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開了深度討論，廓清存儲行業(yè)未來發(fā)展方向。此外，大會現(xiàn)場，NVM Express組織在會中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范，進一步統(tǒng)一存儲架構(gòu)、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
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為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 泛林集團
RISC與CISC
- CISC（復(fù)雜指令集計算）和RISC（精簡指令集計算）是兩種不同的計算機指令集架構(gòu)。CISC（Complex Instruction Set Computing）復(fù)雜指令集：CISC架構(gòu)設(shè)計了大量的復(fù)雜指令，每條指令可以完成較為復(fù)雜的操作。較少的指令數(shù)：因為每條指令可以完成較多的操作，所以總體的指令數(shù)較少。內(nèi)存使用效率高：由于指令的復(fù)雜性，單個指令可以在較少的時鐘周期內(nèi)完成任務(wù)，從而減少內(nèi)存帶寬的占用。硬件實現(xiàn)復(fù)雜：實現(xiàn)這些復(fù)雜指令需要更復(fù)雜的硬件邏輯。常見應(yīng)用：早期的計算機和一些特定應(yīng)用中使用較多，如x
- 關(guān)鍵字： RISC-V CISC 架構(gòu)
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