最新阻變存儲器RRAM技術(shù)可在單芯片中存下1TB數(shù)據(jù)

　　阻變存儲器RAM(RRAM)是一種可以用于PC和移動設(shè)備的內(nèi)部存儲器，相比現(xiàn)在的閃存，它的速度快上許多，讀寫時還非常節(jié)能。今天，加州一家技術(shù)公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術(shù)，可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數(shù)據(jù)，這意味著未來電子產(chǎn)品的存儲密度將極大地提高，同時RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍，讀寫時的功率僅為1/20。

　　取決于不同的設(shè)備，RRAM可以將設(shè)備電池壽命延長數(shù)周、數(shù)月甚至數(shù)年，使用壽命也10倍于NAND，可以說是一種完美的高速存儲器。Crossbar還表示，這種存儲器還可以以陣列的方式運(yùn)行，他們計劃將這項(xiàng)技術(shù)授權(quán)給其它公司使用，目前30余項(xiàng)專利已經(jīng)被授予。