rram 文章 進入rram技術(shù)社區(qū)
全球首款28nm嵌入式RRAM畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片正式量產(chǎn)
- 據(jù)北京亦莊官微消息，近日，由北京顯芯科技有限公司（以下簡稱“顯芯科技”）參與研制的全球首款28nm內(nèi)嵌RRAM（阻變存儲器）畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片在京量產(chǎn)，并成功應(yīng)用于國內(nèi)頭部客戶的Mini LED高端系列電視中，標志著我國顯示類芯片達到新的半導(dǎo)體工藝高度。據(jù)相關(guān)負責(zé)人介紹，當(dāng)前全球半導(dǎo)體頂尖工藝已經(jīng)來到2nm時代，但對于半導(dǎo)體顯示來說，綜合考慮成本問題，28nm是目前國內(nèi)工藝的天花板。畫質(zhì)調(diào)節(jié)芯片要求集成各種補償算法，開發(fā)難度高，制造要求先進邏輯制程，是顯示芯片品類國產(chǎn)化率最低的產(chǎn)品之一。為推動中國芯片國產(chǎn)化進展
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新型存儲RRAM傳來新進展！
- 近日，悅芯科技和?？莆⑦_成戰(zhàn)略合作，成功開發(fā)了國內(nèi)首個基于?？莆RAM IP的芯片量產(chǎn)測試方案，并已正式進入量產(chǎn)。據(jù)介紹，悅芯科技的T800 SOC測試平臺具備的Memory Test Option功能，為RRAM芯片的量產(chǎn)提供了堅實的技術(shù)支持。在首顆RRAM芯片量產(chǎn)成功的基礎(chǔ)上，悅芯科技將繼續(xù)支持多款RRAM IP芯片的量產(chǎn)，為客戶提供高性能、可靠的完整量產(chǎn)測試解決方案。悅芯科技的T800 SOC自動測試設(shè)備以模塊化設(shè)計為主要特色，為不同類別的IC器件提供針對性的測試模塊，實現(xiàn)在單一平臺上
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英飛凌攜手臺積電將RRAM技術(shù)引入至AURIX? TC4x汽車微控制器產(chǎn)品系列
- 【2022年12月7日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和臺積電近日宣布，兩家公司準備將臺積電的可變電阻式記憶體制程技術(shù)引入至英飛凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。??自首個發(fā)動機管理系統(tǒng)問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元（ECU）的主要構(gòu)建模塊。這些微控制器是打造綠色、安全和智能汽車所不可或缺的組成部分，被應(yīng)用于驅(qū)動系統(tǒng)、車輛動態(tài)控制、駕駛輔助和車身應(yīng)用中，助力汽車領(lǐng)域在電氣化、全新電子電氣（E/E）架構(gòu)和
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臺積電RRAM技術(shù)引入英飛凌汽車MCU
- 11月25日，英飛凌和臺積電宣布，兩家公司正準備將臺積電的電阻式RAM（RRAM）非易失性存儲器（NVM）技術(shù)引入英飛凌的下一代AURIX?微控制器（MCU），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。自第一個發(fā)動機管理系統(tǒng)問世以來，嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元(ECU)的主要構(gòu)建塊。目前，市場上大多數(shù)MCU系列都基于嵌入式閃存技術(shù)（eFlash）技術(shù)。而RRAM是嵌入式存儲器的下一步，可以進一步擴展到28納米及以上。英飛凌AURIX TC4x MCU系列將性能擴展與虛擬化、安全和網(wǎng)絡(luò)功能的最新趨勢相
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臺積電英飛凌強強聯(lián)合，新型存儲RRAM發(fā)展如何？
- 存儲器的發(fā)展取決于應(yīng)用場景的變化，當(dāng)下智能化時代的迅速發(fā)展對存儲器提出了更高的要求，新型存儲器迅速成長。目前新型存儲器阻變存儲器（Resistive Random Access Memory，ReRAM或RRAM）逐漸受到市場重視。近日，英飛凌官方消息稱，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機存取存儲器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。當(dāng)前，英飛凌基于臺積電28納米eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器樣品已
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英飛凌汽車MCU，選擇RRAM
- 據(jù)英飛凌稱，其下一代Aurix微控制器將使用嵌入式非易失性存儲器，特別是電阻式隨機存取存儲器（RRAM），而不是嵌入式閃存（eFlash），并將在臺積電的28納米節(jié)點上制造。雖然基于臺積電28納米eFlash技術(shù)的Autrix TC4x系列微控制器樣品已經(jīng)交付給主要客戶，但基于臺積電28納米RRAM技術(shù)的第一批樣品將于2023年底提供給客戶。英飛凌表示，Autrix TC4x系列微控制器專為ADAS而設(shè)計，可提供新的E/E架構(gòu)和經(jīng)濟實惠的AI應(yīng)用。嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動機管理系統(tǒng)以來，就被用作
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什么是FRAM?
- FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。關(guān)于鐵電質(zhì)下面的圖表解釋了PZT晶體結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)通常用作典型的鐵電質(zhì)材料。在點陣中具有鋯和鈦，作為兩個穩(wěn)定點。它們可以根據(jù)外部電場在兩個點之間移動。一旦位置設(shè)定，即使在出現(xiàn)電場，它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數(shù)據(jù)以
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兆易創(chuàng)新宣布與Rambus簽訂專利授權(quán)協(xié)議
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布，與領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP供應(yīng)商Rambus Inc. 就RRAM (電阻式隨機存取存儲器) 技術(shù)簽署專利授權(quán)協(xié)議。同時，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴的合資企業(yè)—合肥?？莆ⅲ≧eliance Memory）簽署了授權(quán)協(xié)議 。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兆易創(chuàng)新從Rambus和?？莆@得180多項RRAM技術(shù)相關(guān)專利和應(yīng)用，這將有助于兆易創(chuàng)新在新型存儲器RRAM 領(lǐng)域的前瞻性技術(shù)布局，從而為嵌入式產(chǎn)品提供更豐富的存儲解決方案。RRAM作為一種非
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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
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馮丹：憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前，一年一度的中國存儲峰會在北京如期舉行，“數(shù)據(jù)中流擊水，浪遏飛舟”是今年大會主題，論道存儲未來，讓數(shù)據(jù)釋放價值，業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進行了深入解讀，干貨滿滿。下午第三分論壇，中國計算機協(xié)會信息存儲專委會主任馮丹作為開場嘉賓，就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示，當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計算與存儲深度融合的發(fā)展趨勢，而RRAM容量很大，速度快、能耗低，RRAM也認為是下一代代替DRAM(動態(tài)隨機存儲器)
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看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
- 你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發(fā)展進程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場和業(yè)務(wù)拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會上接受與非網(wǎng)的采訪時說:&ldquo
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RRAM 或?qū)⒏膶懘鎯ζ鳉v史—兼評國內(nèi)學(xué)者如何做出一流成果
- 導(dǎo)語：上世紀中葉單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明以及硅集成電路的研制成功，為后來的科技進步奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨后，科研工作者們不斷探索，先后將多種新型材料引入該產(chǎn)業(yè)，才有了如今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。全世界都在尋找更優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料的道路上不曾止步，而一種新型二維材料的出現(xiàn)，或指明了未來存儲器的發(fā)展方向。 三維(3D)材料以其實用性好，加工簡便及成本低廉等特點一直在各大行業(yè)的占據(jù)著主導(dǎo)地位，而無論在科研界還是工業(yè)界，人們對二維材料的研究與應(yīng)用卻始終屈指可數(shù)。我們知道所有物質(zhì)的結(jié)構(gòu)都是由原子在三維空間堆疊而
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RRAM領(lǐng)軍者Crossbar正式進軍中國存儲市場
- 阻變式存儲器(RRAM)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar公司今日宣布正式進軍中國市場，并在上海設(shè)立新的辦事處。 Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場，亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地。憑借我們在中國深厚的風(fēng)投實力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，我們相信將在中國消費電子、企業(yè)、移動、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外，我們近期與中芯國際已達成合作，將我們的嵌入式技術(shù)用于中芯國際40nm甚至更高工藝，有望使
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