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          一種基于FPGA的DDR SDRAM控制器的設計

          作者: 時間:2013-04-24 來源:網絡 收藏

          摘要 的基本工作特性以及時序進行了分析與研究,提出了一種通用的方案。在Modelaim上通過了軟件功能仿真,并在芯片上完成了硬件驗證。結果表明,該能夠較好地完成 的讀寫控制,具有讀寫效率較高、接口電路簡單的特點。
          關鍵詞 DDR SDRAM;

          隨著超大規(guī)模集成電路技術的成熟,以及數字信號處理技術的廣泛應用,高速大容量緩存逐漸成為一項關鍵技術。DDR SDRAM即雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器,它采用地址復用技術,在時鐘的上升沿和下降沿均能觸發(fā)數據進行傳輸,并且能與系統保持良好的同步性。DDR SDRAM以其大容量、低成本以及更高的數據傳輸質量等優(yōu)勢,逐步取代SDRAM而被各集成電路制造廠家所青睞。而要實現各微處理器和數字信號處理器的存儲器接口與DDR SDRAM接口相逢接,必須要借助DDR SDRAM控制器才能實現控制讀寫等功能。微電子制造工藝的迅猛發(fā)展使得FPGA的集成度和性能也不斷提高,在各種嵌入式系統中的應用也越來越廣泛。FPGA內部集成了DDR觸發(fā)器、PLL鎖相環(huán)等邏輯資源,并且其引腳均能滿足SSTL-Ⅱ電器特性的要求,因此FPGA是實現DDR,讀寫控制的最佳平臺,研究如何利用FPGA實現DDR SDRAM控制器具有重要的現實意義。

          1 DDR SDRAM的工作特性
          一個DDR SDRAM通常包含有地址總線15個、數據總線16個、數據捕獲探針2個、寫掩碼信號線2個、差分主控時鐘線1個、時鐘使能信號線1個、以及命令信號線4個:CS_N,RAS_N,CAS_N,WE_N。
          1.1 DDR SDRAM的初始化
          DDR SDRAM的工作模式必須由初始化操作來配置,初始化的過程通常包含:首先發(fā)送一個Prechargeall bank命令完成對所有塊的預充,接下來是兩個或多個Auto Refresh命令使DDR SDRAM進行自動刷新,最后由模式配置命令完成對DDR SDRAM內部模式設置寄存器的配置。
          1.2 訪問存儲單元
          為減少輸入輸出引腳的數量,初始化完成后要對各個Bank中的陣列進行尋址以訪問存儲單元:在Read/Write狀態(tài)下先由Active命令激活相關的Bank,并鎖存其行地址,當Read/Write命令有效時鎖存列地址。對于已被激活由同一個Bank,再次激活必須重新執(zhí)行一次Prechar ge all bank命令。
          1.3 刷新
          DDR SDRAM的存儲單元由晶體管和電容器組成,電容器會由于漏電而導致電荷丟失,為保證數據存儲的穩(wěn)定性,必須周期性地對DDR SD RAM進行刷新??刂破鲀炔康淖詣铀⑿掠嫈灯髅扛粢粋€刷新周期便會發(fā)送一個刷新請求,控制器在接收到請求后會根據當前DDR SDRAM的狀態(tài)做出不同響應:如果此時DDRSDRAM處于Idle State,控制器便會發(fā)出一個AutoRefresh命令對DDR SDRAM進行刷新;如果此時DDR SDRAM正在進行Read/Write操作,控制器會等到當前操作完成之后再發(fā)送Auto Refresh命令。
          1.4 操作控制
          DDR SDRAM的操作命令由專用的命令控制信號決定。具體會執(zhí)行何種操作動作決定于系統時鐘上升沿時的CS_N(片選信號),RAS_N(行地址使能信號),CAS_N(列地址使能信號)以及WE_N(寫使能信號)的狀態(tài)。DDR SDRAM操作命令真值表如表1所示,選擇控制信號線和地址信號線只作為輔助參數輸入。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/159415.htm

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