近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產，并預計2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優勢的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲器工作負載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲器模組，并攜手MemVerg
關鍵字：
DDR 美光科技 HBM
邁過2023年的經濟逆風行業下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續突破，有望帶動存儲市場迸發新的活力。一2024是DRAM技術迸發活力的一年從1998年三星生產出最早的商用DDR
SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術還在持續突破。按照不
關鍵字：
存儲 DDR HBM
邁過2023年的經濟逆風行業下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續突破，有望帶動存儲市場迸發新的活力。一2024是DRAM技術迸發活力的一年從1998年三星生產出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術還在持續突破。按照不同的
關鍵字：
DDR GDDR6 HBM
1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設計時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調性等。電源電壓的要求一般在±5%以內。電流需要根據使用的不同芯片，及芯片個數等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設計時，如果有一個完整的電源平
關鍵字：
DDR 內存
在2024年即將到來之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一?；仡?023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領域，根據權威機構預測，2023年和2024年，AI服務器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
關鍵字：
HBM DDR AI GPU 美光 海力士
簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統文件讀取至內存，然后通過cpu調用各種配件進行工作這時系統存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數據的內部存儲器
關鍵字：
ROM RAM FLASH DDR EMMC
一站式定制芯片及IP供應商——燦芯半導體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency （零延遲）和True-Adaptive（真自適應）兩項技術。這兩項技術已經開始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理層IP上進行部署，將為客戶帶來更高效、更穩定的全新體驗。 Zero-Latency （零延遲） 技術在讀數據通路上，采用了兩種可選的、獨特的采樣方式進行數據轉換，而不像其他DDR物理層供貨商采用FIFO進行跨時鐘域轉換，此技術將延遲降低
關鍵字：
燦芯 DDR IP
DDR4內存已經誕生了有10年之久，從一開始的2133MHz頻率到后期逐漸站上2400MHz、2666MHz，一直到工藝與電路架構升級后，現在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz?？梢哉f這十年以來，DDR4內存的頻率也是有了快翻倍的提升?！ 《涨?，有超頻愛好者將DDR4內存的頻率超頻至7200MHz，打破了世界紀錄。該記錄由微星MEG Z590 Unify-X主板創造，超頻內存上使用了兩條士頓的HyperX Predator 8GB內存，組成16GB雙通道。為了能讓內存實現如此高頻
關鍵字：
DDR
重點：高質量DesignWare DDR PHY IP核為NVIDIA提供無與倫比的性能、延遲和電源效率DDR PHY支持DDR5/4的每個通道多個DIMM，滿足NVIDIA的網絡數據速率和內存容量要求基于固件的現場可升級訓練可提高通道的穩定性和可靠性，并且有助于算法更新，從而降低采用新內存協議的風險新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，NVIDIA的網絡業務部門Mellanox將采用經驗證的DesignWare? DDR5/4 PHY IP核，以滿足其針對高性能計算和人工智能應用的Infin
關鍵字：
云計算 NVIDIA 新思科技 DesignWare DDR IP核
國際領先的定制化芯片（ASIC）設計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應商——燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導體”）近日對外宣布為一家著名的NVDIMM供應商提供完整的NVDIMM控制器芯片解決方案。非易失性雙列直插式內存模塊（NVDIMM）是計算機的一種隨機存取存儲器,即使在遇到供電不穩、系統崩潰或正常關機等斷電情況時仍保留其內容。NVDIMM可快速恢復現場，提高應用程序性能，數據安全性和系統崩潰修復時間，加強了固態驅動器（SSD）的耐用性和可靠性。當前，大多數NVDIMM控制器采用F
關鍵字：
OEM DDR SSD ASIC
在國內疫情尚還未完全好轉的情況下，全球疫情開始逐漸惡化。而日韓疫情的兇猛，更是給全球半導體領域投下了“重磅炸彈”。
關鍵字：
宏旺半導體 DDR ICMAX
DDR硬件設計要點 1. 電源 DDR的電源可以分為三類： a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用?！ ∮械男酒€有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設計時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調性等。電源電壓的要求一般在±5%以內。電流需要根據使用的不同芯片，及芯片個數等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以P
關鍵字：
DDR，PCB
DDR的種類： 1、DDR SDRAM：Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器; 2、DDR2 SDRAM：Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory，第二代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器; 3、DDR3 SDRAM：Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Ra
關鍵字：
DDR 三星
似乎中國已經要趕上國外主流水準，但是業內卻傳出DDR內存已經過時，新的內存即將取代，這無疑給國內的DDR內存制造廠商當頭一棒。
關鍵字：
內存 DDR
DDR布線在PCB設計中占有舉足輕重的地位，設計成功的關鍵就是要保證系統有充足的時序裕量。要保證系統的時序，線長匹配又是一個重要的環節。我們來回顧一下，DDR布線，線長匹配的基本原則是：地址，控制/命令信號與時鐘做等長。數據信號與DQS做等長。為啥要做等長?大家會說是要讓同組信號同時到達接收端，好讓接收芯片能夠同時處理這些信號。那么，時鐘信號和地址同時到達接收端，波形的對應關系是什么樣的呢?我們通過仿真來看一下具體波形?！ 〗⑷缦峦ǖ?，分別模擬DDR3的地址信號與時鐘信號?！ ?nbsp;
關鍵字：
PCB DDR
ddr介紹
DDR=Double Data Rate雙倍速內存
嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也?？吹紻DR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對于內存廠商而言，只需對制造普通SD [
查看詳細 ]
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473