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          基于MEMS技術(shù)的微型氣相色譜柱的研究(

          作者: 時間:2012-03-29 來源:網(wǎng)絡 收藏

          1 引言

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/160879.htm

          法(GC)是英國生物化學家MartinATP等人在液液分配的基礎(chǔ)上,于1952年創(chuàng)立的一種極有效的分離方法,它可分析和分離復雜的多組分氣體混合物。目前的系統(tǒng)主要包括5個主要部分:載氣、進樣器、色譜柱、檢測器和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。

          其中,載氣是一種將待檢測的樣品氣體輸送穿過色譜柱的高純度的氣體(如氫氣和氦氣),也稱為移動相。進樣器是定量和瞬間地將氣體樣品注入色譜系統(tǒng)的器件。通常指進樣閥或注射器。色譜柱是色譜儀的核心部件,內(nèi)部涂有固定相涂層,其作用是分離樣品。檢測器是把載氣里被分離的各組分的濃度或質(zhì)量轉(zhuǎn)換成電信號的裝置。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)把檢測器輸出的信號傳遞給記錄儀或計算機,對數(shù)據(jù)進行分析和處理,得到該混合樣品的流出曲線及定性和定量信息。

          然而,傳統(tǒng)的檢測器往往體積和重量較大,移動不便,這給有害氣體的現(xiàn)場檢測帶來了一定困難。近年來,可移動的小型色譜漸漸受到關(guān)注,人員采用在硅片上加工出色譜柱,并在硅片上集成微泵、溫度傳感器和加熱器等部件,再與氣相色譜檢測器相連,構(gòu)成色譜系統(tǒng),體積大大減小,具有靈敏度高、分析速度快、應用范圍廣、便攜性好等特點,可以方便地對有害氣體進行現(xiàn)場檢測。

          近年來更多的機構(gòu)投入了這項研究。斯坦福大學的S.C Terry,J.H.Jerman和J.B.An-gell最先開展了氣相色譜(μGC)的研究。1994年,美國Texas Christian大學的E.S.Kolesar和Rocky R.Reston發(fā)表了最新的研究成果,采用硅片加工工藝,包含一個微型進樣注射器、一個矩形毛細管柱、表面鍍一層固定相,這種微型色譜系統(tǒng)的檢測限可以達到10-6量級。意大利的S.Zampolli和德國的J.Sturmann等人也進行了相關(guān)的研究。在他們的微型氣相色譜系統(tǒng)中,包含一個固態(tài)氣體傳感器、硅微加工的微型色譜柱、一個零階空氣單元、一個商用的微泵和一個微閥。使用該系統(tǒng)可以將苯、甲苯和二甲苯分離出來,并進行定量檢測,濃度最小可以達到5×10-9。2003年至今,美國Michigan大學的J.A.Potkay和K.D.Wise等人在微型氣相色譜領(lǐng)域進行了深入的研究,該研究小組研制的硅-玻璃微型氣相色譜系統(tǒng)集成了加熱器、溫度傳感器和壓力傳感器,其中溫度傳感器用于程序升溫,壓力傳感器用于流量控制。

          目前,微型氣相色譜系統(tǒng)的發(fā)展方向是微型化和集成化,把進樣器、預集中器、色譜柱、加熱器、檢測器都集成在單個硅片上,大幅減小體積和質(zhì)量,提高便攜性。

          2 理論

          色譜柱的效率通常用理論塔板數(shù)(N)和理論塔板高度(H)來表示。對于截面是矩形的色譜柱,理論塔板高度(H)定義為

          式中:Dg和Ds分別為溶質(zhì)分子在流動相和固定相中的擴散系數(shù);df是固定相的厚度;ω和h是色譜柱通道的寬度和高度;f1和f2是Giddings-Golay和Martin-James氣體壓縮系數(shù);k是保留因子。平均載氣流速為

          式中:p0是出口壓力;p是進口和出口壓力之比值;L是色譜柱長度;η是載氣的黏度。理論塔板數(shù)的計算公式為

          分析時間也是化學檢測方法中的一個關(guān)鍵因素,對于即時檢測的應用場合更加重要。在氣相色譜系統(tǒng)中,死保留時間(tM)表示那些不被固定相吸收或者吸附的氣體通過色譜柱的時間,該時間正比于色譜柱的長度L,反比于載氣平均線速度u,即

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          對于工作在絕熱條件下的色譜柱,保留因子是一個常數(shù)。理論塔板數(shù)與固定相的厚度、色譜柱的高度和寬度、平均載氣流速和保留因子都有直接的關(guān)系。

          3 色譜柱制造

          色譜柱采用深反應離子刻蝕加工在8 cm的硅片上,硅片厚度500 μm,色譜柱通道全長6 m,深100μm,寬100μm,橫截面為矩形。硅片正面采用深刻蝕加工色譜柱通道,通道形狀如圖1所示。圖2是深刻蝕后硅片的照片。

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