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          MEMS硅壓阻式汽車壓力傳感器分析

          作者: 時(shí)間:2011-11-03 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          將各種物理信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)從而將行駛的具體狀態(tài)傳送給電子控制單元來(lái)實(shí)現(xiàn)控制。設(shè)計(jì)了基于技術(shù)和智能化信號(hào)調(diào)理的擴(kuò)散硅應(yīng)對(duì)系統(tǒng)的檢測(cè)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/161427.htm

            1 原理及封裝設(shè)計(jì)

            為了將壓力信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)采用了應(yīng)變?cè)?,將惠斯頓檢測(cè)電橋通過(guò)技術(shù)制作在單晶硅片上。使得單晶硅片成為一個(gè)集應(yīng)力敏感與力電轉(zhuǎn)換為一體的敏感元件。如圖1所示。

            

            圖1敏感元件

            當(dāng)硅芯片受到外界的應(yīng)力作用時(shí),硅應(yīng)變電橋的橋臂電阻將產(chǎn)生變化,一般都為惠斯頓電橋檢測(cè)模式。如圖2所示。

            

          惠斯頓電橋

            圖2惠斯頓電橋

            其輸出電壓表示為vo=KAR/R(Rl=如=R3=R4,△R1=△R3=△R2=△R4)。

            因?yàn)殡娮璧淖兓苯优c應(yīng)力P有關(guān),則:

            

            式中:Vo為輸出電壓,mV;S為靈敏度,mV/V/Pa;P為外力或應(yīng)力,Pa;VB為橋壓,VOS為零位輸出,mV.

            單一的硅片芯片只能作為一個(gè)檢測(cè)單元的一部分無(wú)法獨(dú)立完成信號(hào)的轉(zhuǎn)換,所以必須有特定的封裝使其具備壓力檢測(cè)的能力。將圖2中的硅片芯片與PYREX玻璃環(huán)靜電封接在一起。

            PYREX玻璃環(huán)作為硅芯片的力學(xué)固定支撐彈性敏感元件并且使硅芯片與封裝絕緣,而PYREX玻璃環(huán)的孔恰好成為了傳感器的參考?jí)毫η惑w和電極引線腔體。其結(jié)構(gòu)如圖3所示。

            

          敏感元件封裝

            圖3敏感元件封裝

            如圖3的敏感芯體封接在金屬螺紋底座上形成進(jìn)壓的腔道后成為一個(gè)可安裝的壓力測(cè)量前端,見圖4。

            

          可安裝的壓力測(cè)量前端

            圖4可安裝的壓力測(cè)量前端

            此封裝技術(shù)可以承載至少15 MPa的壓力,若經(jīng)特殊處理可承載100 MPa的壓力。


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