雙面接觸式電容壓力傳感器原理介紹

　　2.3.1　硅熔融鍵合

　　在鍵合之前，所有晶片都要進(jìn)行清洗，把晶體表面上的灰塵微粒洗掉，接著晶片在室溫下鍵合在一起，然后把這對(duì)晶片放在1000℃的純氮環(huán)境下進(jìn)行退火鍵合。

　　圖2

　　2.3.2 硅蝕刻

　　首先利用離子刻蝕把原先為減少凹凸不平而重?fù)诫s的濃硼擴(kuò)散層刻蝕掉，這一步也可用機(jī)械拋光法來(lái)進(jìn)行。刻蝕掉這一層后，接著要把梁刻蝕出來(lái)，可用腐蝕的辦法來(lái)進(jìn)行，用10%的KOH來(lái)腐蝕，前面的350μm在90℃的KOH中腐蝕，后面的50μm在50℃的KOH中腐蝕，以便得到更好的蝕刻選擇性。

　　2.3.3　開(kāi)一個(gè)引線窗口和排氣窗口

　　引線窗口主要是在這個(gè)窗口中先淀積上一層金屬，然后從這一層金屬中引出電容的極板引線。要刻蝕出這個(gè)窗口可以在晶片上布一層掩膜，然后利用離子刻蝕法刻出這個(gè)窗口，同理，排氣窗口也可以這樣刻蝕。排泄窗口是為了使封裝的腔為真空而設(shè)計(jì)的。

　　2.3.4　封裝腔

　　排氣窗口刻蝕出以后，用LTO封裝這個(gè)排氣窗口，用LTO封裝以后，腔里的空氣壓力幾乎為零。那么這個(gè)傳感器就可以測(cè)絕對(duì)壓力。

　　2.3.5　刻蝕出梁和引線窗口

　　在BHF溶液中腐蝕出梁和引線窗口，腐蝕掉鏈接層的LTO和SiO2。

　　2.3.6　金屬化處理

　　在引線窗口濺射上300nm的Al/Si/Cu金屬層。

　　2.3.7　切割和測(cè)試

　　完成后的晶體能夠被切割和測(cè)試。

　　圖3