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          數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中功率放大器的設(shè)計(jì)方法

          作者: 時(shí)間:2012-06-04 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:用最新的LDMOS FET器件,采用平衡放大電路結(jié)構(gòu)?熏中的。工作頻段在470MHz~860MHz,整個(gè)頻帶內(nèi)增益在12dB左右,工作在線性狀態(tài),交調(diào)抑制小于-35dB。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/165507.htm

          中的重要組成部分。通常情況下,中的信號(hào)經(jīng)COFDM方式調(diào)制后輸出中頻模擬信號(hào),通過(guò)上變頻送入放大部分。該調(diào)制方式包括IFFT(8M)和IFFT(2M)兩種模式,分別由6817和1705個(gè)載波組成。每個(gè)載波之間的頻率間隔非常近,所以交調(diào)信號(hào)很容易落在頻帶內(nèi),引起交調(diào)失真。數(shù)字電視的發(fā)射機(jī)較傳統(tǒng)類型,在線性度、穩(wěn)定性等方面有著更高的要求。對(duì)發(fā)射機(jī)中的要求必須工作在較高的線性狀態(tài)下,增益穩(wěn)定。

          發(fā)射系統(tǒng)的放大部分分為激勵(lì)和主放大電路。其中激勵(lì)部分為寬帶功率放大器,為確保地面數(shù)字電視傳輸?shù)恼7€(wěn)定,需要具有良好的穩(wěn)定性和可靠性,其工作頻段在470MHz~860MHz,工作狀態(tài)為AB類;要求增益大于10dB,交調(diào)抑制小于-35dB,噪聲功率密度大于130dBc/Hz。本文采用最新的LDMOS FET器件,及平衡放大電路結(jié)構(gòu)?熏數(shù)字電視發(fā)射機(jī)中的驅(qū)動(dòng)級(jí)功率放大器,經(jīng)過(guò)優(yōu)化和調(diào)試,滿足系統(tǒng)要求。

          1 功率放大器

          1.1功率放大器的放大芯片選型

          本文采用摩托羅拉LDMOS FET器件MRF373作為功放的放大芯片。該芯片在線性、增益和輸出能力上相對(duì)于BJT器件有較大的提升,使發(fā)射機(jī)的可靠性和可維護(hù)性大大提高。與傳統(tǒng)的分米波雙極型功放管相比,LDMOS FET具有以下顯著優(yōu)點(diǎn):

          ·可以在高駐波比(VSWR=10:1)情況下工作;

          ·增益高(典型值13dB);

          ·飽和曲線平滑,有利于模擬和數(shù)字電視射頻信號(hào)放大;

          ·可以承受大的過(guò)驅(qū)動(dòng)功率,特別適用于DVB-T中COFDM調(diào)制的多載波信號(hào);

          ·偏置電路簡(jiǎn)單,無(wú)需復(fù)雜的帶正溫度補(bǔ)償?shù)挠性吹妥杩蛊秒娐贰?/p>

          LDMOS制造工藝結(jié)合了BPT和砷化鎵工藝。與標(biāo)準(zhǔn)MOS工藝不同的是,在器件封裝上,LDMOS沒(méi)有采用BeO氧化鈹隔離層,而是直接硬接在襯底上,導(dǎo)熱性能得到改善,提高了器件的耐高溫性,大大延長(zhǎng)了器件壽命。由于LDMOS管的負(fù)溫效應(yīng),其漏電流在受熱時(shí)自動(dòng)均流,而不會(huì)象雙極型管的正溫度效應(yīng)在收集極電流局部形成熱點(diǎn),從而管子不易損壞。所以LDMOS管大大加強(qiáng)了負(fù)載失配和過(guò)激勵(lì)的承受能力。同樣由于LDMOS管的自動(dòng)均流作用,其輸入-輸出特性曲線在1dB壓縮點(diǎn)(大信號(hào)運(yùn)用的飽和區(qū)段)下彎較緩,所以動(dòng)態(tài)范圍變寬,有利于模擬和數(shù)字電視射頻信號(hào)放大。LDMOS在小信號(hào)放大時(shí)近似線性,幾乎沒(méi)有交調(diào)失真,很大程度簡(jiǎn)化了校正電路。MOS器件的直流柵極電流幾乎為零,偏置電路簡(jiǎn)單,無(wú)需復(fù)雜的帶正溫度補(bǔ)償?shù)挠性吹妥杩蛊秒娐贰?/p>

          1.2 電路結(jié)構(gòu)選擇及比較

          小信號(hào)S參數(shù)可以用于甲類放大器的設(shè)計(jì),也就是要求信號(hào)的放大基本限制在晶體管的線性區(qū)域。然而,涉及到大功率放大器時(shí),由于放大器工作在非線性區(qū),所以小信號(hào)通常近似無(wú)效。此時(shí)必須求得晶體管的大信號(hào)S參數(shù)或阻抗,以得到合理的設(shè)計(jì)效果。

          一般說(shuō)來(lái),甲類工作狀態(tài)失真系數(shù)最小,具有良好的線性度。但是在大功率應(yīng)用情況下,由于甲類工作狀態(tài)的效率低(50%)而不適用。采用甲乙類推挽放大器的電路形式,可以得到與甲類放大器相近的線性指標(biāo)。

          推挽電路形式由兩個(gè)獨(dú)立且無(wú)任何內(nèi)部連接的單管放大器構(gòu)成,通過(guò)兩個(gè)巴倫進(jìn)行功率的矢量分配與合成。由于巴倫本身具有變阻的特點(diǎn),因此大大降低了變阻比帶來(lái)的阻抗匹配的困難,且巴倫對(duì)于偶次諧波具有很好的抑制作用。但是由于巴倫兩邊間隔過(guò)小,兩路相互影響較大,所以應(yīng)用巴倫結(jié)構(gòu)的放大器穩(wěn)定性較差,且該電路的輸入和輸出駐波比較差。

          本文采用平衡放大器的形式,結(jié)構(gòu)如圖1所示。其工作原理與巴倫結(jié)構(gòu)的電路相似,但是由于3dB電橋的應(yīng)用,使得兩路射頻信號(hào)之間隔離較好,有利于兩個(gè)端口的匹配。相對(duì)于單管放大器結(jié)構(gòu),其優(yōu)點(diǎn)如表1。


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