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          飛兆半導(dǎo)體推出11種MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品

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          作者:電子產(chǎn)品世界 時(shí)間:2006-09-29 來(lái)源:EEPW 收藏


          半導(dǎo)體的 ;系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應(yīng)用中
          節(jié)省空間并延長(zhǎng)電池壽命



          擴(kuò)展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內(nèi)
          最完備的2x2mm MLP封裝器件


          半導(dǎo)體公司 ( Semiconductor) 推出11種新型產(chǎn)品,提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件,面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用,包括移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)、遠(yuǎn)程POS終端,以及其它大批量的便攜式產(chǎn)品。這些產(chǎn)品需要空間優(yōu)化和為了延長(zhǎng)電池壽命和保證可靠性而需要優(yōu)秀的散熱和電氣性能。MicroFET功率開(kāi)關(guān)結(jié)合半導(dǎo)體的先進(jìn)PowerTrench® 技術(shù)和業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的模塑無(wú)鉛封裝 (MLP),因此,較之于傳統(tǒng)使用大型封裝的功率,MicroFET 器件在散熱性能和節(jié)省空間方面有著顯著優(yōu)勢(shì)。

          飛兆半導(dǎo)體的MicroFET采用MLP封裝,為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)全新的封裝選擇,即是在充電器、升壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器及負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中廣泛采用的SSOT-6或SC-70器件封裝之外。采用2x2mm MLP封裝的MicroFET較3x3mm SSOT-6封裝的MOSFET體積減小55%,同時(shí)具有更高的性能。例如,較之于典型的雙P溝道SSOT-6 (9mm2) 器件,MicroFET (4mm2) 的 RDS(ON) 降低了17% (95 mΩ對(duì)比于115mΩ)、熱阻降低16% (151



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