手機數(shù)字基帶處理芯片中的靜態(tài)時序分析
根據(jù)以上對靜態(tài)時序分析的介紹,我們做門級仿真也應(yīng)該分別仿真功能模式和測試模式下的best case、typical case、worst case三種情況,但是側(cè)重點有所不同。功能模式下,大部分電路我們只需要驗證worst case和best case就可以認為是正確的,但是在我們芯片的設(shè)計中,曾經(jīng)過出現(xiàn)worst case和best case通過而typical case仿真失敗的情況。這是因為有的電路中寄存器級數(shù)太多,時鐘偏移(clock skew)對電路的影響造成的。雖然這種情況即使在百萬門級以上的設(shè)計中也很少見,但為了提高芯片成功率,對于關(guān)鍵路徑,關(guān)鍵模塊,需要仿真3中情況。測試模式一般工作在室溫環(huán)境,它的仿真我們只需要關(guān)心typical case就可以了。
靜態(tài)時序分析工具無法驗證異步時鐘的電路。然而現(xiàn)在芯片中可能存在異步時鐘電路,如我們的TDS-CDMA數(shù)字基帶處理芯片中,就有二十幾個異步時鐘域。在PT中,所有異步時鐘域的路徑都必須被設(shè)為false_path(表示不關(guān)心該路徑)。由于RTL級功能仿真也不能發(fā)現(xiàn)異步時鐘域之間信號的錯誤,我們在門級仿真時需要特別注意異步時鐘域之間的信號的驗證。
我們還可能遇到門級仿真失敗,但是PT中并沒有報錯的情況。經(jīng)過反復(fù)試驗分析,可能會有以下幾種情況導(dǎo)致它們的結(jié)果不一致:
1、VCS不支持負的輸入輸出路徑延遲,但是PT是支持的。當VCS遇到負輸入輸出路徑延遲,它就自動認為它是0。這樣就導(dǎo)致了錯誤。
2、新版本的PT產(chǎn)生的SDF文件有關(guān)于信號沿的信息。如果我們用老版本的庫或存儲器模型沒有包含這種沿的信息,PT將會認為它是一條更長的路徑。而VCS仍然用標準的延遲來計算,就導(dǎo)致結(jié)果不一致。可見,一套完善的EDA工具很復(fù)雜,不同版本之間的細微差別也可能導(dǎo)致我們驗證的失敗。
3、最常見的原因是`timescale不同。如果設(shè)計和SDF文件中所設(shè)的`timescale不同,那么SDF文件中的反標值可能被舍去。這就導(dǎo)致了靜態(tài)時序分析和動態(tài)仿真的不匹配。所以,保證RTL代碼、庫文件、存儲器模型、SDF文件中的`timescale一致非常重要。
門級仿真是芯片流片前的最后一道驗證。雖然能夠很好的反映芯片工作的真實情況,但是資源占用嚴重、時間長。只有綜合利用動態(tài)驗證和靜態(tài)驗證的優(yōu)點,才能高效準確的完成一塊芯片的設(shè)計。
4.TDS-CDMA數(shù)字基帶處理芯片中的應(yīng)用
我們實驗的對象TDS-CDMA數(shù)字基帶處理芯片,是一塊規(guī)模在1000萬門以上,130nm工藝的超大規(guī)模集成電路,其中包含ARM、DSP等硬核。在門級做全功能測試需要大量的人力物力資源,是很不現(xiàn)實的。我們在實際芯片中設(shè)計中采用靜態(tài)時序的分析加門級仿真的方法。
在芯片的設(shè)計過程中,我們在幾個階段做靜態(tài)時序分析。
1)綜合之后先做一次STA。此時主要檢查:
1、電路設(shè)計的時序有沒有問題。如兩個寄存器之間有過多的組合邏輯,使電路不能運行在需要的時鐘頻率上。
2、由于綜合工具(設(shè)計中用Design Complier)的算法限制,每一次綜合出的網(wǎng)表都不同。需要反復(fù)做綜合,直到網(wǎng)表的時序達到我們的期望。用這一版網(wǎng)表再繼續(xù)往下做。
因為沒有具體的布局布線信息,此時的時序分析建立在線上負載模型(wire load model)上。線上負載模型是一種比較悲觀的模型,所以可能出現(xiàn)一些不是很嚴重的Violation。現(xiàn)階段我們不需要關(guān)心這些,它們可以在布局布線時得到解決。
2)預(yù)布局之后:
這時候,元件的大概位置關(guān)系已經(jīng)確定??梢酝ㄟ^靜態(tài)時序分析來解決布局中不合理的地方,以便修改。
3)布局布線完成后:
布局布線后可以從版圖中提取精確的器件和網(wǎng)絡(luò)延遲得到SPEF (Standard Parasitic Exchange Format ) 文件,反標到Prime Time SI中再做一次時序分析,這時可以得到基于版圖的精確的時序分析結(jié)果。
布局布線的過程中,需要不停的用STA來分析布局布線的結(jié)果。我們的芯片采用SMIC提供的0.13微米工藝的元件庫。他們提供了標準元件庫和HVT元件庫兩種。HVT元件的特點是漏電低,但是延時比較大。所以,剛開始的時候我們用HVT元件,做STA之后發(fā)現(xiàn)有的路徑不能滿足時序要求。我們再用一些標準元件來替代這些HVT元件,反復(fù)不停比較,直到所有路徑都滿足時序要求為止。這樣,既最大程度的實現(xiàn)了低功耗,也滿足了時序要求。
在完成時序分析之后,用PT SI生成SDF(standard delay format)文件反標到網(wǎng)表中做門級仿真。
此時的SDF文件不僅包含單元延遲和線延遲,也包含了版圖信息,串擾信息等。門級仿真可以得到最真實,最接近實際情況的結(jié)果。
5.結(jié)束語
靜態(tài)時序分析以它運行速度很快、占用內(nèi)存較少,可以對芯片設(shè)計進行全面的時序功能檢查,并利用時序分析的結(jié)果來優(yōu)化設(shè)計等優(yōu)點,很快地被用到數(shù)字集成電路設(shè)計的驗證中。然而門級仿真也由于它不可取代的地位在ASIC設(shè)計中仍有一席之地。結(jié)合在TDS-CDMA數(shù)字基帶處理芯片設(shè)計中的經(jīng)驗,我們可以得出這樣的結(jié)論:靜態(tài)時序分析和門級時序仿真是從不同的側(cè)重點來分析電路以保證電路的時序正確,它們是相輔相成的?,F(xiàn)在,實驗中的TDS-CDMA數(shù)字基帶處理芯片已經(jīng)成功流片。
本文作者創(chuàng)新點:在實踐中尋找到一種STA和門級仿真結(jié)合的新方法。在保證流片成功率的基礎(chǔ)上最大程度的節(jié)省芯片驗證的時間。
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