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          集成功率級(jí)LED與恒流源電路一體化設(shè)計(jì)介紹

          作者: 時(shí)間:2012-03-13 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          目前,功率級(jí)產(chǎn)品有兩種實(shí)現(xiàn)方式:一是采用單一的大面積功率級(jí)芯片封裝,美國(guó)、日本已經(jīng)有5W芯片的產(chǎn)品推向市場(chǎng),需要低壓大電流的恒流驅(qū)動(dòng)電源供電,其價(jià)格也比較高;另一種是采用小功率芯片方式實(shí)現(xiàn)功率級(jí),日本松下電工已經(jīng)開(kāi)發(fā)出20W的LED產(chǎn)品。然而由于功率級(jí)LED在低壓大電流條件下工作,對(duì)于遠(yuǎn)距離的恒流驅(qū)動(dòng)電源供電卻存在著線路功耗大、系統(tǒng)可靠性低等許多難以解決的技術(shù)問(wèn)題。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/168292.htm

          在承擔(dān)的國(guó)家級(jí)科技攻關(guān)項(xiàng)目中,我們將新的DIS1xxx系列浮壓恒流二極管與LED芯片通過(guò)厚膜集成工藝技術(shù)集成為一體,解決了集率級(jí)LED在使用中的恒流電源供電問(wèn)題,其電流穩(wěn)定度、溫度漂移和可靠性等技術(shù)指標(biāo),均符合項(xiàng)目要求。

          2 主要參數(shù)

          采用單晶硅片作為基板,用雙極型集成工藝方法在硅片上制作二氧化硅絕緣層、鋁導(dǎo)電反光層,將多個(gè)LED芯片、SMD阻容元件和DIS1xxx 系列浮壓恒流集成芯片集成在一起。通過(guò)光刻和擴(kuò)散工藝,在單晶硅層形成反向穩(wěn)壓二極管,用于泄放靜電,以提高LED的抗靜電能力。我們的5W功率級(jí)集成LED,采用80個(gè)0.3mm×0.3mm的 LED藍(lán)光芯片,通過(guò)涂敷YAG熒光粉發(fā)白光,主要技術(shù)參數(shù)為: 

          輸入電壓范圍Vin:DC 150 ±5 V;

          恒定工作電流Io :20 mA×2mA;

          電流穩(wěn)定誤差△Io:< ±5 %;

          恒流溫度漂移△IT :<5 μA/℃;

          抗靜電電壓:VEDS≥1500 V;

          電功率:Pm ≥ 5 W(加散熱片);

          光效≥17 Lm/W;

          熱阻:RΘ≤16℃/W(包括硅基板和銅熱沉);

          3 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

          3.1 電路原理設(shè)計(jì)

          電路原理設(shè)計(jì)(圖1)使用了兩個(gè)DIS1020A 浮壓恒流集成二極管分為兩路恒流驅(qū)動(dòng)各40個(gè)串聯(lián)LED,每路的工作電流為20mA。在硅基板上,采用擴(kuò)散工藝制作了16個(gè)56V/10mA的穩(wěn)壓二極管以吸收、泄放靜電,保護(hù)LED不會(huì)受到靜電的擊穿而失效。電路中,設(shè)計(jì)的電容、二極管主要為了吸收來(lái)自外部供電電源的諧波、脈沖和其他干擾信號(hào),減少這些干擾信號(hào)對(duì)產(chǎn)品的影響,提高產(chǎn)品的可靠性和工作環(huán)境適應(yīng)性。

          3.2 混合集成設(shè)計(jì)

          采用硅基板與銅熱沉結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)(圖2),80個(gè) LED設(shè)計(jì)為10×8矩陣結(jié)構(gòu),每10個(gè)LED與一組2個(gè)穩(wěn)壓二極管構(gòu)成一個(gè)單元,硅基片的底面為穩(wěn)壓二極管的p區(qū),n區(qū)通過(guò)鋁導(dǎo)電反光層與每組LED的正、負(fù)極分別連接在一起,通過(guò)合金工藝實(shí)現(xiàn)歐姆接觸。SMD電容C1,C2,C3和二極管D1設(shè)計(jì)在外圍區(qū)域,減少對(duì)光的吸收和遮光等不良影響?!?/span>

           

          3.3 熱沉的溫度梯度設(shè)計(jì)

          為了提高產(chǎn)品的可靠性,采用1mil的金絲進(jìn)行鍵合球焊,由于LED數(shù)量較多,硅基板的面積較大,導(dǎo)致硅基板中心部位的熱量不能及時(shí)傳到熱沉上,致使溫度升高造成中心部位的LED發(fā)光亮度降低。為此,采用新的合金技術(shù)進(jìn)行銅熱沉結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),減少了熱沉的熱阻RΘ和溫度梯度dT( x,y)/dL,使硅基板中心部位的熱量能夠及時(shí)傳到熱沉上,再通過(guò)外殼進(jìn)行散熱,以提高產(chǎn)品的可靠性。硅基板為矩形結(jié)構(gòu),厚度為0.3mm,其熱阻可以用下列公式進(jìn)行描述[1]

          RΘ={ln[(a/b)( a+2x)/(b+2x)]}/

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