集成功率級LED與恒流源電路一體化設(shè)計介紹

式中,a和b分別為硅基板的和寬; x為硅基板的厚度;k為硅基板的熱導(dǎo)率。

4 主要參數(shù)測試結(jié)果

4.1 熱阻與溫度梯度

試驗和批量生產(chǎn)的產(chǎn)品經(jīng)過使用證明,完全達到設(shè)計要求。表1是熱阻RΘ、位置x,y 和溫度梯度dT(x, y)/dLx,dT(x,y)/d Ly采用光熱阻掃描方法[2]測試的結(jié)果,以硅基板中心為原點,分別測試X,-X,Y和-Y等距離為1mm的溫度?！?/span>

4.2 溫度漂移

圖3是產(chǎn)品的溫度漂移參數(shù)△I T與恒定工作電流Io的關(guān)系曲線。產(chǎn)品溫度漂移的試驗環(huán)境溫度為-50～100℃,以25℃/40mA為參考基準(zhǔn),100℃時的最大溫度漂移為1.64μA/℃, -50℃時的最大溫度漂移為1.49μA/℃。在正常環(huán)境條件（ -25～50℃）下使用,其平均溫度漂移為0.94μA/℃,完全滿足設(shè)計指標(biāo)和實際使用的要求。

4.3 發(fā)光效率與抗靜電

由于功率級LED芯片面積較大,工作時產(chǎn)生的高溫難以及時傳導(dǎo)出去,使LED芯片及pn結(jié)的溫度過高,導(dǎo)致發(fā)光效率隨著功率、溫度的增加而急劇下降。因此,在集成功率級LED設(shè)計時,采取了高導(dǎo)熱率的硅基板結(jié)構(gòu)設(shè)計和銅合金技術(shù)的熱沉設(shè)計,使其熱阻大幅度降低,產(chǎn)品的發(fā)光效率得到提高,平均在18～20 Lm/W?！?/span>

防靜電設(shè)計的效果比較明顯,將50只產(chǎn)品置于靜電為1600～1800V的環(huán)境中,連續(xù)工作48h,無發(fā)生靜電擊穿現(xiàn)象。

5 結(jié)論

產(chǎn)品的一體化設(shè)計成功,使集成功率級LED在應(yīng)用過程中減少了對恒流驅(qū)動電源的要求,可以直接使用穩(wěn)壓電源進行驅(qū)動,而且對穩(wěn)壓電源的要求也比較寬松,供電電壓在±10%以內(nèi)變化時,LED能夠保證在恒流狀態(tài)下正常工作,從而提高了LED 的可靠性。同時,產(chǎn)品在實際使用過程中,可以大大簡化其工頻驅(qū)動電源電路的設(shè)計,由于采用很小的驅(qū)動電流電路,使遠距離供電線路的損耗非常低,特別適用于在遠距離供電情況下使用。