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          大功率LED散熱的改善方法

          作者: 時(shí)間:2010-11-22 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:考慮熱導(dǎo)率與方式的影響,使用大型有限元軟件ANSYSl0.0模擬并分析了熱分布。通過(guò)分析不同封裝、熱沉材料及方式對(duì)熱分布與最大能力的影響,指出解決散熱問(wèn)題的關(guān)鍵不是尋找高熱導(dǎo)率的材料,而是改變LED的散熱結(jié)構(gòu)或者散熱方式。
          關(guān) 鍵 詞:LED;散熱;有限元法(FEM);熱導(dǎo)率

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/169138.htm


          1 引言
          目前,很多功率型LED的驅(qū)動(dòng)電流達(dá)到70 mA、100 mA甚至1 A,這將會(huì)引起芯片內(nèi)部熱量聚集,導(dǎo)致發(fā)光波長(zhǎng)漂移、出光效率下降、熒光粉加速老化以及使用壽命縮短等一系列問(wèn)題。業(yè)內(nèi)已經(jīng)對(duì)LED的散熱問(wèn)題作出了很多的努力:通過(guò)對(duì)芯片外延結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì),使用表面粗化技術(shù)等提高芯片內(nèi)外量子效率,減少無(wú)輻射復(fù)合產(chǎn)生的晶格振蕩,從根本上減少散熱組件負(fù)荷;通過(guò)優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)、材料,選擇以鋁基為主的金屬芯印刷電路板(MCPCB),使用陶瓷、復(fù)合金屬基板等,加快熱量從外延層向散熱基板散發(fā)。多數(shù)廠家還建議在高性能要求場(chǎng)合中使用散熱片,依靠強(qiáng)對(duì)流散熱等促進(jìn)大功率LED散熱。盡管如此,單個(gè)LED產(chǎn)品目前也僅處于1~10 W級(jí)的水平,散熱能力仍亟待提高。相當(dāng)多的研究將精力集中于尋找高熱導(dǎo)率熱沉與封裝材料,然而當(dāng)LED功率達(dá)到lO W以上時(shí),這種關(guān)注遇到了相當(dāng)大的阻力。即使施加了風(fēng)冷強(qiáng)對(duì)流方式,犧牲了成本優(yōu)勢(shì),也未能獲得令人滿意的變化。
          討論在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)、LED封裝及熱沉材料熱導(dǎo)率等因素變化對(duì)于其最大功率的影響,尋找影響LED散熱的關(guān)鍵因素。研究為有限元熱分析法.該方法已有實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了LED有限元模型與其真實(shí)器件之間的差別,證明其在誤差許可范圍內(nèi)是準(zhǔn)確可行的。


          2 建立模型
          2.1 有限元熱分析理論
          三維直角坐標(biāo)系中的瞬態(tài)溫度場(chǎng)場(chǎng)變量T(x,y,z,t)滿足:


          式中:T/x,T/y,T/z為沿x,y,z方向的溫度梯度;λxx,λyy,λzz為熱導(dǎo)率;q0為單位體積的熱生成;ρc是密度與比熱容的乘積:dT/dt為溫度隨時(shí)間的變化率。


          式中:Vx,Vy,Vz為媒介傳導(dǎo)速率。
          對(duì)于穩(wěn)態(tài)熱分析而言,T/t=0,式(1)可化簡(jiǎn)為:


          根據(jù)式(3)、邊界條件與初始條件,利用迭代法或者消去法求解,得出熱分析結(jié)果。
          2.2 幾何模型的建立
          圖1為依據(jù)常見(jiàn)1 w大功率LED尺寸建立并簡(jiǎn)化、海鷗翼封裝鋁熱沉的大功率LED圖形,底座接在MCPCB鋁基板上。主要數(shù)據(jù):芯片尺寸為1 mm×1 mm×O.25 mm,透鏡為直徑是13 mm的半球。硅襯底為邊長(zhǎng)17 mm,高0.25 mm的正六棱柱,MCPCB為直徑20 mm,高1.75 mm的六角星形鋁質(zhì)基板。

          2.3 有限元模型的建立
          模型采用ANSYSl0.0計(jì)算,為方便分析,假設(shè)模型:
          LED輸入功率為1 W,光效率取10%;封裝體外部的各組件(包括MCPCB、陶瓷封裝、熱沉的外部)通過(guò)與空氣的對(duì)流散熱;器件與外界的熱對(duì)流系數(shù)為20。工作環(huán)境溫度為25℃;器件滿足使用ANSYS軟件進(jìn)行穩(wěn)態(tài)有限元熱分析的條件;最大結(jié)溫選擇為125℃。各種材料的參數(shù)如表1所示。


          3 分析各種因素對(duì)于散熱能力的影響
          3.1 熱輻射系數(shù)對(duì)LED散熱的影響
          圖2為表面黑度為0.8時(shí)的溫度云圖。根據(jù)斯蒂芬-玻耳茲曼定律,輻照度j*與溫度T之間的關(guān)系:j*=εσT4。其中ε為黑體的輻射系數(shù);σ=5.67×10-8w/(m2·k4),稱為斯蒂芬-玻耳茲曼常數(shù)。因此可知,溫度越高,輻照度越大。當(dāng)輸入功率為1 W時(shí),經(jīng)由表面輻射散出的熱能為7.63×10-4W,僅占總熱功率的1.63‰;功率達(dá)到2 W時(shí),經(jīng)輻射散出的熱能也僅占6.33‰。因此改變熱輻射系數(shù)對(duì)于提高散熱能力成效不大,散熱的關(guān)鍵在于提高另外兩種散熱方式:熱傳遞和熱對(duì)流。盡管如此,仍有一些廠家將LED器件的外表面涂成黑色,以期最大限度地利用輻射散熱。


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