改善大功率LED散熱的關(guān)鍵問題

摘要：考慮熱導(dǎo)率與散熱方式的影響，使用大型有限元軟件ANSYSl0.0模擬并分析了大功率LED熱分布。通過分析不同封裝、熱沉材料及散熱方式對LED熱分布與最大散熱能力的影響，指出解決LED散熱問題的關(guān)鍵不是尋找高熱導(dǎo)率的材料，而是改變LED的散熱結(jié)構(gòu)或者散熱方式。
關(guān) 鍵 詞：大功率LED；散熱；有限元法(FEM)；熱導(dǎo)率

1 引言
目前，很多功率型LED的驅(qū)動電流達(dá)到70 mA、100 mA甚至1 A，這將會引起芯片內(nèi)部熱量聚集，導(dǎo)致發(fā)光波長漂移、出光效率下降、熒光粉加速老化以及使用壽命縮短等一系列問題。業(yè)內(nèi)已經(jīng)對大功率LED的散熱問題作出了很多的努力：通過對芯片外延結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計，使用表面粗化技術(shù)等提高芯片內(nèi)外量子效率，減少無輻射復(fù)合產(chǎn)生的晶格振蕩，從根本上減少散熱組件負(fù)荷；通過優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)、材料，選擇以鋁基為主的金屬芯印刷電路板(MCPCB)，使用陶瓷、復(fù)合金屬基板等方法，加快熱量從外延層向散熱基板散發(fā)。多數(shù)廠家還建議在高性能要求場合中使用散熱片，依靠強(qiáng)對流散熱等方法促進(jìn)大功率LED散熱。盡管如此，單個LED產(chǎn)品目前也僅處于1～10 W級的水平，散熱能力仍亟待提高。相當(dāng)多的研究將精力集中于尋找高熱導(dǎo)率熱沉與封裝材料，然而當(dāng)LED功率達(dá)到lO W以上時，這種關(guān)注遇到了相當(dāng)大的阻力。即使施加了風(fēng)冷強(qiáng)對流方式，犧牲了成本優(yōu)勢，也未能獲得令人滿意的變化。
討論在現(xiàn)有結(jié)構(gòu)、LED封裝及熱沉材料熱導(dǎo)率等因素變化對于其最大功率的影響，尋找影響LED散熱的關(guān)鍵因素。研究方法為有限元熱分析法．該方法已有實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了LED有限元模型與其真實(shí)器件之間的差別，證明其在誤差許可范圍內(nèi)是準(zhǔn)確可行的。

2 建立模型
2．1 有限元熱分析理論
三維直角坐標(biāo)系中的瞬態(tài)溫度場場變量T(x，y，z，t)滿足：

式中：T/x，T/y，T/z為沿x，y，z方向的溫度梯度；λxx,λyy，λzz為熱導(dǎo)率；q0為單位體積的熱生成；ρc是密度與比熱容的乘積：dT/dt為溫度隨時間的變化率。

式中：Vx，Vy,Vz為媒介傳導(dǎo)速率。
對于穩(wěn)態(tài)熱分析而言，T/t=0，式(1)可化簡為：

根據(jù)式(3)、邊界條件與初始條件，利用迭代法或者消去法求解，得出熱分析結(jié)果。
2．2 幾何模型的建立
圖1為依據(jù)常見1 w大功率LED尺寸建立并簡化、海鷗翼封裝鋁熱沉的大功率LED圖形，底座接在MCPCB鋁基板上。主要數(shù)據(jù)：芯片尺寸為1 mm×1 mm×O.25 mm，透鏡為直徑是13 mm的半球。硅襯底為邊長17 mm，高0.25 mm的正六棱柱，MCPCB為直徑20 mm，高1.75 mm的六角星形鋁質(zhì)基板。

2．3 有限元模型的建立
模型采用ANSYSl0.0計算，為方便分析，假設(shè)模型：
LED輸入功率為1 W，光效率取10％；封裝體外部的各組件(包括MCPCB、陶瓷封裝、熱沉的外部)通過與空氣的對流散熱；器件與外界的熱對流系數(shù)為20。工作環(huán)境溫度為25℃；器件滿足使用ANSYS軟件進(jìn)行穩(wěn)態(tài)有限元熱分析的條件；最大結(jié)溫選擇為125℃。各種材料的參數(shù)如表1所示。

3 分析各種因素對于散熱能力的影響
3.1 熱輻射系數(shù)對LED散熱的影響
圖2為表面黑度為0.8時的溫度云圖。根據(jù)斯蒂芬-玻耳茲曼定律，輻照度j*與溫度T之間的關(guān)系：j*=εσT4。其中ε為黑體的輻射系數(shù)；σ=5.67×10-8w／(m2?k4)，稱為斯蒂芬-玻耳茲曼常數(shù)。因此可知，溫度越高，輻照度越大。當(dāng)輸入功率為1 W時，經(jīng)由表面輻射散出的熱能為7.63×10－4W，僅占總熱功率的1.63‰；功率達(dá)到2 W時，經(jīng)輻射散出的熱能也僅占6.33‰。因此改變熱輻射系數(shù)對于提高散熱能力改善成效不大，散熱的關(guān)鍵在于提高另外兩種散熱方式：熱傳遞和熱對流。盡管如此，仍有一些廠家將LED器件的外表面涂成黑色，以期最大限度地利用輻射散熱。