LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲器

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，LSI在其用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲器的12Gb/s SAS主機(jī)總線適配器(HBA)中，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(nvSRAM)。nvSRAM為SAS HBA帶來高速度、低電壓、無故障的存儲器，提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個原因是它可工作在不同的電壓下，而且廣受媒體好評。

　　LSI近期發(fā)布的LSI^® SAS 9300 HBA系列產(chǎn)品是業(yè)界首款用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲系統(tǒng)的12Gb/s SAS HBA解決方案。該系列的產(chǎn)品可加快存儲速度，專為諸如交易數(shù)據(jù)庫、Web 2.0、數(shù)據(jù)挖掘、視頻流媒體及編輯等場合的高性能應(yīng)用而設(shè)計。

　　賽普拉斯并行nvSRAM的存取時間可快至25ns， 是市場上最快的異步非易失性RAM。nvSRAM還具有無限次讀寫和恢復(fù)和20年的數(shù)據(jù)保存能力，對于需要連續(xù)高速數(shù)據(jù)寫入和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全且無需備用電池的應(yīng)用，這一產(chǎn)品是非常理想的選擇。

　　LSI高級市場總監(jiān)Robin Wagner說：“隨著數(shù)據(jù)中心對存儲量管理要求的不斷提升，對12Gb/s SAS的需求隨之增長。我們曾成功地運用過廣受媒體贊譽的nvSRAM，完全能滿足我們LSI 9300系列產(chǎn)品的嚴(yán)苛要求。并行nvSRAM的靈活性能夠接受3V以下的工作電壓，從而簡化了產(chǎn)品設(shè)計流程，加速我們產(chǎn)品的上市進(jìn)程。”

　　賽普拉斯非易失性產(chǎn)品事業(yè)部高級總監(jiān)Rainer Hoehler說：“我們很高興存儲界的領(lǐng)先者LSI采用我們的并行nvSRAM產(chǎn)品。這一產(chǎn)品應(yīng)用于業(yè)界首款12Gb/s解決方案，充分證明了其不同凡響的速度和可靠性。”

　　并行nvSRAM系列產(chǎn)品有從256kb到8Mb的多種配置可供選擇，并可工作在工業(yè)溫度范圍內(nèi)，擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的封裝方式，如32-SOIC, 44-TSOPII, 48-SSOP, 48-FBGA 及 54-TSOPII等。

　　賽普拉斯的nvSRAM采用SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲器制造工藝。nvSRAM非常適合需要高性能和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用，例如RAID系統(tǒng)、PLC、工業(yè)數(shù)據(jù)日志、計算和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、汽車發(fā)動機(jī)、服務(wù)器和交換機(jī)、航空電子、軍用系統(tǒng)，以及游戲系統(tǒng)等。

　　賽普拉斯是SONOS制造工藝的領(lǐng)先者，其旗艦產(chǎn)品PSoC^®混合信號陣列、可編程時鐘及其他產(chǎn)品均采用這一工藝制造。SONOS與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS技術(shù)兼容，還具有多種優(yōu)勢，例如長壽命、低功耗和抗輻射。SONOS技術(shù)在賽普拉斯自己的工廠和多個合作伙伴的工廠中同時采用。與其他基于磁技術(shù)的非易失性存儲技術(shù)相比，這一工藝在規(guī)模和可制造性方面擁有顯著的優(yōu)勢。賽普拉斯已發(fā)運了超過10億片采用與nvSRAM中相同的SONOS工藝制造的產(chǎn)品。

　　關(guān)于賽普拉斯nvSRAM

　　賽普拉斯的nvSRAM系采用存儲在外部電容器中的電荷，而非電池，從而使這一器件適合于標(biāo)準(zhǔn)的PCB流水線生產(chǎn)。賽普拉斯的nvSRAM符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)，可以直接替代SRAM和依靠電池供電的SRAM(BBSRAM)產(chǎn)品，提供快速非易失性數(shù)據(jù)存儲能力。當(dāng)發(fā)生斷電的時候，數(shù)據(jù)可自動從SRAM傳輸?shù)椒且资詥卧小＜与娭?，?shù)據(jù)可從非易失性存儲器中恢復(fù)至SRAM。在網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、計算和RAID應(yīng)用中，nvSRAM提供了高速數(shù)據(jù)傳輸性能，并在斷電的時候，無需電池即可保證數(shù)據(jù)的完整性。