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          FinFET引爆投資熱 半導(dǎo)體業(yè)啟動新一輪競賽

          作者: 時間:2013-09-16 來源:新電子 收藏

            業(yè)界已發(fā)展出運用制造技術(shù),對制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計自動化、IP與設(shè)計方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競相加碼研發(fā)以生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù),促使市場競爭態(tài)勢急速升溫。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/169944.htm

            過去數(shù)10年來,互補式金屬氧化物(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構(gòu)材料,電晶體幾何結(jié)構(gòu)則一代比一代小,因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導(dǎo)體晶片。

            然而,電晶體在空間上的線性微縮已達極限,電晶體縮小到20奈米(nm)以下,會降低通道閘極控制效果,造成汲極(Drain)到源極(Source)的漏電流增加,并引發(fā)不必要的短通道效應(yīng)(Short Channel Effect),而電晶體也會進入不當(dāng)關(guān)閉狀態(tài),進而增加電子裝置待機耗電量。所幸立體式的鰭式電晶體()技術(shù)出現(xiàn)后發(fā)揮作用,在FinFET結(jié)構(gòu)中,由于通道被三層閘極包覆,可更有效壓制關(guān)閉狀態(tài)漏電流。

            三層閘極還能讓裝置在「開機狀態(tài)」下增強電流,又稱為驅(qū)動電流(Drive Current)。這些優(yōu)點能轉(zhuǎn)換為更低的耗電與更高的裝置效能。3D FinFET裝置預(yù)料將比傳統(tǒng)使用2D平面電晶體的產(chǎn)品更為精實,如此一來晶粒的整體尺寸也會更小。整體而言,F(xiàn)inFET技術(shù)能減少晶片漏電流、提高效能并縮小晶粒尺寸,將成為未來10年最重要的半導(dǎo)體制造技術(shù),帶動系統(tǒng)單晶片(SoC)產(chǎn)業(yè)成長。

            FinFET點燃晶圓代工廠戰(zhàn)火

            綜觀全球市場,英特爾(Intel)是唯一完成FinFET制程技術(shù)實作的制造商。該公司自2012年初即采用自有的第一代22奈米FinFET技術(shù),生產(chǎn)Ivy Bridge中央處理器(CPU)。雖然目前英特爾以FinFET技術(shù)生產(chǎn)的SoC僅限于PC和其特有的伺服器應(yīng)用產(chǎn)品,然而其已宣布將延伸至行動裝置應(yīng)用處理器的開發(fā)。英特爾更可望依循摩爾定律(Moore’s Law),于2013年第四季前將FinFET生產(chǎn)移轉(zhuǎn)至第二代14奈米制程。

            未來幾年內(nèi),愈來愈多頂尖IC設(shè)計業(yè)者將擴大投資并導(dǎo)入FinFET技術(shù),以制造更先進的智慧型手機和平板應(yīng)用處理器(圖1)。為因應(yīng)客戶需求,臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)與三星(Samsung)等主要晶圓代工廠已積極排定FinFET量產(chǎn)時程,最快可望于2013年第三季開始試產(chǎn)FinFET制程,準(zhǔn)備好投入量產(chǎn)則將在2014年第三季以后,如圖2為英特爾與晶圓代工業(yè)者的FinFET制程生產(chǎn)時間表預(yù)測;屆時,IC設(shè)計業(yè)者與晶圓代工廠合作下,將推出以FinFET技術(shù)為基礎(chǔ)的應(yīng)用處理器,與IDM業(yè)者共同角逐市場商機。

            圖1 2007~2017年半導(dǎo)體委外服務(wù)產(chǎn)值預(yù)測  資料來源:Gartner

            圖2 各大晶圓廠FinFET量產(chǎn)時程表 資料來源:Gartner(05/2013)

            在FinFET制程技術(shù)方面,多數(shù)晶圓代工廠選擇在晶圓前段閘極制程(FEOL)采用14奈米FinFET技術(shù),后段互連制程(BEOL)則仍使用20奈米。就某種程度而言,混合式的第一代14奈米FinFET制程,其實就是20奈米電晶體技術(shù),再加上能持續(xù)提升效能與耗電效率的新型裝置結(jié)構(gòu)。

            此種混搭制作方法或許不能在設(shè)計上縮小晶粒尺寸,但效能提高、減少電力消耗與縮短上市所需時間等優(yōu)點,足以讓許多一線IC設(shè)計業(yè)者決定采用FinFET技術(shù)。此外,臺積電與格羅方德最近皆宣布,有意在14奈米FinFET技術(shù)上線2年后推動10奈米制程。

            檢視各家晶圓廠FinFET量產(chǎn)時間表,以及用來指涉16、14及10奈米制程的相關(guān)名稱,因其系出于行銷需求,所以不具重大意義。一般咸認,晶圓代工廠的第一代16/14奈米FinFET制程會較近似英特爾的22奈米制程,而晶圓代工廠10奈米的第二代FinFET制程,則比較接近英特爾14奈米的第二代FinFET技術(shù)。

            復(fù)雜架構(gòu)掀波瀾 FinFET引發(fā)產(chǎn)業(yè)連鎖反應(yīng)

            比較不同廠商的FinFET技術(shù)時,須考慮下列因素,首先是安謀國際(ARM)核心的晶片尺寸、靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)的晶粒大小(Cell Size)、設(shè)計規(guī)則、單元資料庫內(nèi)軌道的數(shù)量、速度及電力消耗。

            無論頂尖IC設(shè)計業(yè)者采用何種FinFET技術(shù)制造行動應(yīng)用處理器,都會在晶片效能與耗能方面有所進展,因為平面技術(shù)幾乎已達到極限,而且,一旦某家大型IC設(shè)計公司決定采用某種先進技術(shù),便可能會帶動連鎖反應(yīng),促使其他同業(yè)加緊導(dǎo)入同款制程技術(shù)。

            舉例來說,高通(Qualcomm)決定采用28奈米多晶矽氮氧化矽(SiON)技術(shù)時,其他IC設(shè)計公司也一窩蜂跟進,讓28奈米低耗能制程變成極受歡迎的技術(shù)節(jié)點。

            不過,目前市場上尚無IC設(shè)計業(yè)者正式宣布將以FinFET技術(shù)生產(chǎn)應(yīng)用處理器的計劃,但相關(guān)研發(fā)作業(yè)正密切進行中,預(yù)估1年內(nèi)就會有大廠根據(jù)FinFET技術(shù)推出新款行動應(yīng)用處理器。以下幾家晶片大廠的技術(shù)與產(chǎn)品發(fā)展藍圖將顯著影響其他IC設(shè)計業(yè)者。

            英特爾日漸重視行動處理器

            2013年6月,英特爾根據(jù)新型微架構(gòu)推出全新系列CPU,無論就時脈效能或低耗電而言均優(yōu)于現(xiàn)有的Ivy Bridge設(shè)計,這個名為Haswell的新系列晶片,將采用(至少一開始會)與目前Ivy Bridge晶片相同的22奈米FinFET制程。

            與此同時,英特爾正積極尋求方法,希望利用其制造技術(shù)優(yōu)勢搭上行動產(chǎn)品成長熱潮。確實,除Haswell外,英特爾尚推出代號為Silvermont的微架構(gòu),將用于采用22奈米FinFET制程的三款應(yīng)用處理器,包括平板專用的Bay Trail、智慧手機專用的Merrifield,以及微伺服器(Microserver)專用的Avoton;第四款產(chǎn)品Rangeley則是為聯(lián)網(wǎng)裝置所設(shè)計。與32奈米方案相比,Silvermont能讓SoC的峰值效能提升三倍,且相同效能下可減少五倍耗能。

            至于14奈米FinFET技術(shù),英特爾的Broadwell與Cherry Trail可能成為次世代系統(tǒng)單晶片,將利用代號Airmont的架構(gòu),在同一個晶粒上結(jié)合CPU、GPU和微控制器(MCU)。這個新型微架構(gòu)將是英特爾與安謀國際big.LITTLE架構(gòu)一決高下的重要利器。 顯而易見,英特爾似乎在技術(shù)、設(shè)計與生產(chǎn)能力上略勝一籌,準(zhǔn)備以自家晶片在行動領(lǐng)域帶動成長。不過,英特爾新任執(zhí)行長在未來的經(jīng)營上仍充滿挑戰(zhàn),尤其是行動裝置業(yè)務(wù)方面,為與高通、聯(lián)發(fā)科競爭,其須改變自身組織、降低生產(chǎn)成本、提高晶圓廠產(chǎn)能利用率,還要部署更多的銷售與現(xiàn)場工程師,才能提高勝算。

            蘋果成晶圓廠最具價值客戶之一

            蘋果在過去幾乎將所有應(yīng)用處理器(A4、A5、A5 R2、A6與A6X)交由三星旗下大型積體電路(LSI)事業(yè)的晶圓廠代工,利用45和32奈米制程生產(chǎn)。近期,該公司為Apple TV設(shè)計的新款處理器A5 R3,亦采用三星32奈米制程,而截至2013上半年為止,蘋果尚未針對32奈米以下制程,甚至是FinFET技術(shù)推出應(yīng)用處理器。

            盡管如此,近日盛傳,蘋果部分應(yīng)用處理器生產(chǎn)訂單將轉(zhuǎn)向臺積電,且下一代A7晶片將以20奈米平面技術(shù)制造。亟欲推動16奈米FinFET制程的臺積電,以及積極研發(fā)14奈米制程的三星,都將蘋果視為FinFET技術(shù)最有價值的客戶之一,毫無疑問地,未來蘋果應(yīng)用處理器可能很快就會投靠FinFET陣營。

            據(jù)顧能(Gartner)預(yù)估,2013年蘋果所有應(yīng)用處理器將需要七十萬片12寸晶圓,這樣的量需要一家以上的12寸晶圓廠才足以供應(yīng)。蘋果決定與其他制造商合作,將對半導(dǎo)體制造業(yè)中晶圓廠競爭態(tài)勢帶來明顯沖擊。

            事實上,蘋果有了與三星興訟的經(jīng)驗之后,最好選擇一家純做晶圓代工的合作夥伴,能大量供貨并為其量身訂作具特殊優(yōu)勢的FinFET制程,例如更嚴(yán)謹(jǐn)?shù)脑O(shè)計規(guī)則或更好的電晶體規(guī)格。雖說蘋果若有任何晶圓供應(yīng)商的變動都會進行長期規(guī)畫,但要在2?3年完全切斷三星供貨,并全然轉(zhuǎn)向其他晶圓代工廠還是太過冒險。

            隨著純晶圓代工業(yè)者技術(shù)制造持續(xù)提升,蘋果亦不須與英特爾合作,且毋須擔(dān)心英特爾制程技術(shù)較佳,因為英特爾在行動晶片領(lǐng)域的實力仍待驗證。蘋果短期內(nèi)的業(yè)務(wù)重點應(yīng)放在如何提高i系列終端產(chǎn)品銷售量,一旦找到可靠的晶片供應(yīng)商,其應(yīng)用處理器的功能特色就比較不重要;這一點與高通大不相同,后者須提供特色更多的應(yīng)用處理器,以應(yīng)付不同的手機制造商客戶。

            三星善用晶圓整合制造服務(wù)優(yōu)勢

            三星Exynos Octa與Hexa這兩款應(yīng)用處理器已采用28奈米平面技術(shù);未來Galaxy S5與Note 4還可能采用20奈米平面技術(shù)生產(chǎn)的晶片,足見其積極導(dǎo)入先進制程節(jié)點的決心。不過,三星尚未傳出要以14奈米FinFET技術(shù)生產(chǎn)自家應(yīng)用處理器,但其約25%的手機與平板使用自家處理器,每年銷售量成長將近20%的頂級手機產(chǎn)品,更高達45%比重,因此三星勢必計劃在未來的應(yīng)用處理器上采用自己的FinFET技術(shù)。

            無庸置疑,垂直整合服務(wù)是三星在制造上的一大優(yōu)勢,從邏輯晶片到記憶體,一直到測試組裝、終端行動裝置,還有網(wǎng)路基礎(chǔ)建設(shè)設(shè)備都能提供。三星還可利用旗下行動裝置事業(yè)對晶圓代工產(chǎn)業(yè)的采購能力,這樣晶圓代工客戶就能為三星行動產(chǎn)品供應(yīng)晶片;此外,其電信部門亦提供基礎(chǔ)建設(shè)設(shè)備,可用來推廣自家晶片。由此可推估,蘋果之所以無法輕易切斷三星LSI供貨,原因之一就是臺積電與英特爾無法提供這種結(jié)合可靠記憶體晶片貨源的封裝測試支援。

            在其他行動裝置相關(guān)半導(dǎo)體產(chǎn)品方面,三星也在各領(lǐng)域握有極高的市占率,包括驅(qū)動IC、CMOS影像感測器與電源管理IC。三星的晶圓代工廠很容易就能與目標(biāo)顧客建立業(yè)務(wù)關(guān)系。

            高通將驅(qū)動FinFET規(guī)格統(tǒng)一

            至于目前的行動處理器一哥高通則將成為主導(dǎo)先進制程導(dǎo)入的關(guān)鍵。目前,Snapdragon 200到800系列是高通最新推出的應(yīng)用處理器,全部采用臺積電28奈米高效能行動(HPM)制程技術(shù),與前一代以28奈米低耗能制程生產(chǎn)的Snapdragon S4晶片相比,效能可望提升75%。下一階段,晶圓代工廠提供的20奈米平面技術(shù)由于制程范圍不足,因此僅有一般版本,無法提供高效能與低耗電等其他選項。

            從縮短新款晶片上市所需時間的觀點來看,雖然高通持續(xù)移轉(zhuǎn)至20奈米節(jié)點的做法對產(chǎn)品效能提升有限,但高通將會成為采用晶圓代工廠20奈米平面技術(shù)的首批顧客之一。至于FinFET應(yīng)該會成為一種長期技術(shù),未來產(chǎn)品都為以它為基礎(chǔ)進行設(shè)計,而高通終將大量采用FinFET技術(shù),以其在市場上的重要地位,對晶圓代工業(yè)者的技術(shù)研發(fā)具有極大影響力。

            不像蘋果和三星生產(chǎn)晶片僅供內(nèi)部使用,高通的晶片廣為蘋果、三星、諾基亞(Nokia)、BlackBerry、宏達電、樂金(LG)、中興及華為等業(yè)者所采用。高通晶片涵蓋各種應(yīng)用,包括Snapdragon應(yīng)用處理器、基頻處理器、收發(fā)器與無線連網(wǎng)Combo晶片,且已與主要晶圓代工廠建立良好的業(yè)務(wù)關(guān)系,帶來龐大的晶圓需求量,使其對晶圓廠極具影響力,通常愿意調(diào)整制程以迎合高通的需求。

            正如前文所述,2012年即為高通帶動整個業(yè)界采用28奈米低耗能技術(shù),未來,Gartner也預(yù)測,高通將帶動業(yè)界廣為采用FinFET技術(shù),并促進晶圓廠全面統(tǒng)一FinFET技術(shù)規(guī)格,以加速晶片量產(chǎn)并控制成本。

            一線處理器廠加速導(dǎo)入FinFET

            在高通率先發(fā)難后,其他IC設(shè)計業(yè)者勢將積極跟進,如輝達(NVIDIA)、聯(lián)發(fā)科與展訊在非蘋平板、低價白牌手機或中國大陸的TD-SCDMA手機應(yīng)用處理器市場中,占有率也相當(dāng)高,自然不希望在技術(shù)上落后領(lǐng)先者太多。這幾家業(yè)者正積極導(dǎo)入28奈米制程,且因晶圓廠28奈米晶圓供貨狀況改善而受益,雖不急于采用FinFET技術(shù),但就長期規(guī)畫來說,絕對有必要在內(nèi)部建立起FinFET設(shè)計能力。

            據(jù)Gartner在2013年第一季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望報告中指出,由于行動處理器導(dǎo)入先進邏輯晶圓的需求攀升,行動裝置相關(guān)半導(dǎo)體營收已于2012年超過PC與筆電,預(yù)估未來半導(dǎo)體裝置需求主要來自行動裝置與固態(tài)硬碟(SSD);智慧型手機將在未來幾年呈現(xiàn)兩位數(shù)成長,平板的成長還將更強勁。

            晶圓制造商持續(xù)縮小平面電晶體幾何結(jié)構(gòu),節(jié)能效率與速度的提升幅度卻愈來愈小;20奈米平面電晶體技術(shù)預(yù)計最多可較28奈米減少25%之耗電,相較之下前一代移轉(zhuǎn)后卻能節(jié)省35%以上。然而,從28奈米平面技術(shù)移轉(zhuǎn)到14奈米FinFET卻能省下超過50%的耗電。FinFET技術(shù)未來應(yīng)用在CPU與行動應(yīng)用處理器開發(fā)上,應(yīng)該會比20奈米平面技術(shù)更受歡迎。

            量產(chǎn)難度高 FinFET觸發(fā)設(shè)計新商機

            盡管業(yè)界一致看好FinFET帶來的效益,但要支援FinFET技術(shù),無論在制程、設(shè)計、IP與電子設(shè)計自動化(EDA)工具各方面都有眾多挑戰(zhàn),且過去許多2D平面技術(shù)的經(jīng)驗不再適用于FinFET,這意謂著相關(guān)供應(yīng)鏈業(yè)者必須有新的投資計劃。

            從晶圓制程的觀點來看,不論是晶圓前段制程或后段制程都須達到原子級的準(zhǔn)確蝕刻(Etching),且要提升臨界尺度(Critical Dimension)控制、減少矽材的蝕刻損傷、增加化學(xué)機械研磨(CMP)及雙重曝光(Double Patterning)微影技術(shù)。另一大挑戰(zhàn)是必須加入中段制程(MOL)模組,以處理3D電晶體高深寬比(High-aspect Ratio)的訊號繞線(Signal Routing)。

            從設(shè)計面來看,其他挑戰(zhàn)還包括3D建模工具的需求、能處理FinFET的模擬方法、寄生電容與寄生電阻的處理、新的可制性設(shè)計(DFM)模型與規(guī)則、單一寬度電晶體的設(shè)計、電晶體種類減少、電壓降低的處理,以及布局依賴(Layout-dependent)的設(shè)計,勢將帶動新一波半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資研發(fā)動能,做大市場大餅。

            無庸置疑,F(xiàn)inFET技術(shù)將在未來10年帶動半導(dǎo)體業(yè)成長。由于智慧型手機與平板相關(guān)的半導(dǎo)體營收已超過PC,F(xiàn)inFET技術(shù)對行動產(chǎn)品也會日益重要。雖然FinFET會為晶圓制程技術(shù)與設(shè)計方法帶來極大變化,對晶圓廠、行動應(yīng)用處理器設(shè)計公司、特殊應(yīng)用IC設(shè)計服務(wù)商、電子設(shè)計自動化業(yè)者與IP供應(yīng)商而言,移轉(zhuǎn)至FinFET技術(shù)的相關(guān)實作與支援都是未來帶動營收成長的關(guān)鍵所在。

            利用FinFET技術(shù)提高邏輯SoC效能的時代已經(jīng)來臨,而FinFET低耗電的優(yōu)點,也促使主攻應(yīng)用處理器的各大IC設(shè)計業(yè)者要求晶圓廠具備相關(guān)技術(shù)。為縮短與英特爾之間的技術(shù)差距,晶圓代工業(yè)者皆已加速研發(fā)FinFET技術(shù),但路途仍滿布荊棘。IC設(shè)計公司應(yīng)擬定策略以發(fā)展FinFET設(shè)計能力,同時留意晶圓代工業(yè)者投入FinFET技術(shù)的狀況,以及競爭對手在相關(guān)產(chǎn)品的規(guī)畫。



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