TSMC和Cadence合作開發(fā)3D-IC參考流程以實(shí)現(xiàn)真正的3D堆疊

　　 新參考流程增強(qiáng)了CoWoSTM (chip-on-wafer-on-substrate)芯片設(shè)計(jì)

　　 使用帶3D堆疊的邏輯搭載存儲(chǔ)器進(jìn)行過流程驗(yàn)證

　　全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ：CDNS)今天宣布，臺(tái)積電與Cadence合作開發(fā)出了3D-IC參考流程，該流程帶有創(chuàng)新的真正3D堆疊。該流程通過基于Wide I/O接口的3D堆疊，在邏輯搭載存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)上進(jìn)行了驗(yàn)證 ，可實(shí)現(xiàn)多塊模的整合。它將臺(tái)積電的3D堆疊技術(shù)和Cadence?3D-IC解決方案相結(jié)合，包括了集成的設(shè)計(jì)工具、靈活的實(shí)現(xiàn)平臺(tái)，以及最終的時(shí)序物理簽收和電流/熱分析。

　　相對(duì)于純粹在工藝節(jié)點(diǎn)上的進(jìn)步，3D-IC技術(shù)讓企業(yè)在尋求更高性能和更低功耗的道路上，有了更多的選擇。3D-IC給開發(fā)當(dāng)今復(fù)雜設(shè)計(jì)的工程師們提供了幾項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，幫他們實(shí)現(xiàn)更高的性能、更低的功耗以及更小的尺寸。今天宣布的內(nèi)容，是兩位3D- IC技術(shù)領(lǐng)先者一年前宣布的臺(tái)積電CoWoS?參考流程的延續(xù)。

　　“我們與Cadence緊密協(xié)作以實(shí)現(xiàn)真正3D芯片開發(fā)，”臺(tái)積電設(shè)計(jì)架構(gòu)營銷部高級(jí)總監(jiān)Suk Lee表示。“通過這一全新的參考流程，我們的共同客戶可以充滿信心地向前推進(jìn)3D-IC的開發(fā)，因?yàn)樗麄冎榔銫adence工具流程已通過3D-IC測(cè)試工具在硅片上進(jìn)行過驗(yàn)證。”

　　“3D-IC是進(jìn)行產(chǎn)品整合的全新方法。它賦予摩爾定律新的維度，需要深度合作才能獲得完美的功能產(chǎn)品，”Cadence首席戰(zhàn)略官兼數(shù)字與簽收集團(tuán)資深副總裁徐季平表示。“這一最新的參考流程表明，我們攜手臺(tái)積電開發(fā)3D芯片的實(shí)際操作流程不僅可行，而且對(duì)于解決芯片復(fù)雜性方面是個(gè)有吸引力的選擇。”

　　Cadence 3D-IC流程中的工具囊括了數(shù)字、定制/模擬及最終簽收技術(shù)。它們包括Encounter? Digital Implementation System、Tempus? Timing Signoff Solution、Virtuoso? Layout Editor、Physical Verification System、QRC Extraction、Encounter Power System、Encounter Test、Allegro? SiP及Sigrity? XcitePI/PowerDC。